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J-GLOBAL ID：201702237146817545   整理番号：17A0370162

CuInGaSe_2薄膜作製のための電着Cu/In/Ga前駆体の3段階蒸気Se/N_2/vapor Se反応【Powered by NICT】

Three-step vapor Se/N₂/vapor Se reaction of electrodeposited Cu/In/Ga precursor for preparing CuInGaSe₂ thin films

著者 (13件)： Bi Jinlian (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, Tianjin, PR China, 300071) ,  Ao Jianping (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, Tianjin, PR China, 300071) ,  Jeng Ming-Jer (Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan) ,  Jeng Ming-Jer (Department of Otolaryngology-Head and Neck Surgery, Chang Gung Memorial Hospital, Taoyuan, Taiwan) ,  Yao Liyong (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, Tianjin, PR China, 300071) ,  Gao Shoushuai (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, Tianjin, PR China, 300071) ,  Sun Guozhong (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, Tianjin, PR China, 300071) ,  He Qing (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, Tianjin, PR China, 300071) ,  Zhou Zhiqiang (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, Tianjin, PR China, 300071) ,  Sun Yun (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, Tianjin, PR China, 300071) ,  Xiao Yu-Ling (Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan) ,  Chang Liann-Be (Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan) ,  Chang Liann-Be (Department of Otolaryngology-Head and Neck Surgery, Chang Gung Memorial Hospital, Taoyuan, Taiwan)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 159  ページ： 352-361  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質CuInGaSe_2薄膜を調製するためのCuInGa前駆体の三段階H_2Se/Ar/H_2Se反応はそれらの組成と接着を制御するための広く使用されている。本研究では,非毒性,低コスト,固体Se源は三段階蒸気Se/N_2/vapor Se反応によるselenize電着Cu/In/Ga前駆体への毒性H_2Seガスの代わりに用いた。実験結果は,最初のセレン化段階で膜のSe含有量はGa分布に影響することを明らかにした。最初のセレン化段階における不完全なセレン化(0.74<Se/Metal<0.96)がその後のGa拡散に有利であった。不活性ガス雰囲気での第二のアニーリング段階はGa再拡散と有意な結晶粒成長を生成し,第一段階処理と比較して組成を変化させなかった。Se蒸気雰囲気における第三セレン化段階は膜のGa分布または微細構造の有意な付加的変化を起こさないが,それはまたトップ表面でのGa枯渇を引き起こす。最後に,ステンレス鋼基板上のCIGS太陽電池は,三段階反応を用いて作製し,効率=8.23%,V_OC=434mVをもつデバイスは,予備的なプロセスパラメータ最適化により作製した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  薄膜 ,  *セレン ,  結晶成長 ,  *ガリウム ,  *電着 ,  微細構造 ,  毒性 ,  不活性ガス ,  *前駆体 ,  ステンレス鋼
準シソーラス用語： パラメータ最適化 ,  CIGS太陽電池 ,  高品質 ,  薄膜作製 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Cu(In Ga)Se_2 ,  電着 ,  セレン化 ,  太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 薄膜作製 ,  電着 ,  Cu ,  Ga ,  前駆体 ,  段階 ,  蒸気 ,  Se