文献

J-GLOBAL ID：201702237635259740   整理番号：17A0057893

自己終端湿式エッチングプロセスのためのAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタに及ぼすGaN中間層厚さの影響【Powered by NICT】

Effect of Gan interlayer thickness on the Algan/Gan heterostructure field-effect transistors for self-terminated wet etching process

著者 (9件)： Li Liuan (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  He Liang (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Yang Fan (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Chen Zijun (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Zhang Xiaorong (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  He Lei (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Wu Zhisheng (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Zhang Baijun (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Liu Yang (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 68-71  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,AlGaN/GaNH FETの材料及び電気特性に及ぼすGaN中間層の厚さとAlGaNバック障壁層の影響を調べた。GaN中間層の厚さは約3nmと5nmであるとき,表面粗さをわずかに増加させると2DEGキャリア密度を低下させる。2DEGチャネルもGaN中間層下のほぼにシフトしている。対照的に,10nmのGaN中間層は明瞭な二重チャネルと2DEGキャリア密度の明白な劣化を引き起こす。AlGaNバック障壁層の導入は効果的に2DEG閉じ込めを改善し,散乱を低減し,小さい周波数分散効果をもたらすことを実証した。バック障壁層と5nmのGaN中間層の両方の試料上に作製したFETは良好なピンチオフ特性と高いオン/オフ比約10~7を示した。この最適化構造は自己終端ウェットエッチングプロセスにおける応用に適している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元電子ガス ,  キャリア密度 ,  ピンチオフ ,  *ウェットエッチング ,  チャネル ,  *窒化ガリウム ,  最適化 ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： 周波数分散 ,  デュアルチャネル ,  バリア層 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *中間層 ,  *ヘテロ構造 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 自己 ,  終端 ,  湿式エッチングプロセス ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  中間層 ,  厚さ