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J-GLOBAL ID：201702238021434783   整理番号：17A0664974

種々のスカンジウムドーピング下の極薄炭化ほう素単分子層の操作エネルギー貯蔵特性【Powered by NICT】

Manipulating energy storage characteristics of ultrathin boron carbide monolayer under varied scandium doping

著者 (5件)： Naqvi S. R. (Condensed Matter Theory Group, Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Box 516, SE-75120 Uppsala, Sweden) ,  Hussain T. ,  Panigrahi P. ,  Luo W. ,  Ahuja R.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 14  ページ： 8598-8605  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初めて著者らは,スピン分極密度汎関数理論(DFT)を用いたスカンジウム(Sc)で修飾された炭化ホウ素(BC_3)シートの水素貯蔵効率に関する詳細な研究を報告した。Sc吸着のエネルギー論を分析し,3.12%,6.25%,および12.5%被覆効果とBC_3シートに及ぼすScの最も有利な吸着部位を検討した。著者らの研究は,Scは,元のBC_3シートに強く結合し,~5eVの最小結合エネルギー,Sc Sc金属クラスタ形成を妨害するのに十分にロバストなことを明らかにした。,最も軽い遷移金属,Scは原子当たりH_2分子の大きな数を吸着し,合理的な貯蔵容量をもたらした。12.5%Sc被覆を用いて,官能化BC_3シートが実用的なH_2貯蔵媒体に適した結合エネルギーと5.5wt%のH_2貯蔵容量を達成できた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ロバスト性 ,  スピン分極 ,  記憶媒体 ,  吸着 ,  *炭化ホウ素 ,  遷移金属 ,  密度汎関数法 ,  被覆 ,  *単分子層 ,  水素吸蔵 ,  結合エネルギー ,  *エネルギー貯蔵 ,  官能化 ,  *スカンジウム
準シソーラス用語： 貯蔵容量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： スカンジウム ,  ドーピング ,  極 ,  炭化ほう素 ,  単分子層 ,  エネルギー貯蔵