文献

J-GLOBAL ID：201702238183191927   整理番号：17A0830907

ZnOの形態学的および光電的研究:超音波スプレー熱分解により作製したIn/p-Siヘテロ接合【Powered by NICT】

Morphological and optoelectrical study of ZnO:In/p-Si heterojunction prepared by ultrasonic spray pyrolysis

著者 (7件)： Ynineb F. (Development Center of Advanced Technologies (CDTA), UROP, El Bez Setif 19000, Algeria) ,  Ynineb F. (Laboratory of Thin Films and Interfaces, Constantine University, Constantine 25000, Algeria) ,  Attaf N. (Laboratory of Thin Films and Interfaces, Constantine University, Constantine 25000, Algeria) ,  Aida M.S. (Laboratory of Thin Films and Interfaces, Constantine University, Constantine 25000, Algeria) ,  Bougdira J. (Lorraine University, Jean Lamour Institute, UMR 7198, Vandoeuvre 54506, France) ,  Bouznit Y. (Laboratory of Materials: Elaborations-Properties-Applications, Jijel University, Jijel 18000, Algeria) ,  Rinnert H. (Lorraine University, Jean Lamour Institute, UMR 7198, Vandoeuvre 54506, France)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 628  ページ： 36-42  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウムドープ酸化亜鉛薄膜を超音波噴霧熱分解法(ZnO:In/p Siヘテロ接合)を用いてp型Si(100)基板上に堆積した。InドープZnO膜の構造,形態および光学的性質を調べた。X線回折スペクトルおよび走査電子顕微鏡測定は,膜が(002)優先配向と表面形態ほぼ均一な多結晶性であることを示した。光ルミネセンス測定は,膜が酸素空孔と亜鉛格子間原子のようないくつかの固有欠陥を示した。電流-電圧および容量-電圧(C V)測定は理想因子(n)値(1,12~2,82の範囲で),酸化物層と二半導体材料間の界面状態の存在のために,1より高いことを明らかにした。障壁高さは,0,65 0,73eVの範囲にあり,C-V測定から推測した接合内部電圧は室温で0,64 0 94Vの範囲であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *形態 ,  走査電子顕微鏡 ,  *酸化亜鉛 ,  光学的性質 ,  *ヘテロ接合 ,  優先配向 ,  *インジウム ,  *モルフォロジー ,  光ルミネセンス ,  ドーピング ,  半導体材料 ,  亜鉛 ,  *超音波 ,  電圧
準シソーラス用語： 理想因子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化亜鉛 ,  超音波スプレー熱分解 ,  Heterojunctions ,  光ルミネセンス ,  インジウムドーピング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (8件)： ZnO ,  形態学 ,  光電 ,  研究 ,  超音波スプレー熱分解 ,  作製 ,  Si ,  ヘテロ接合