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J-GLOBAL ID：201702238733413903   整理番号：17A0311889

安定化ジルコニアとMoO_3 In_2O_3ナノ複合材料を用いない混合電位型4xセンサ【Powered by NICT】

Mixed-potential type NO _x sensor using stabilized zirconia and MoO₃-In₂O₃ nanocomposites

著者 (10件)： Cai Hao (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, China) ,  Sun Ruize (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, China) ,  Yang Xue (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, China) ,  Liang Xishuang (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, China) ,  Wang Chong (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, China) ,  Sun Peng (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, China) ,  Liu Fengmin (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, China) ,  Zhao Chun (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, China) ,  Sun Yanfeng (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, China) ,  Lu Geyu (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 10  ページ： 12503-12507  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イットリア安定化ジルコニア(YSZ)電解質とIn_2O_3 MoO_3ナノ複合材料電極に基づく高感度混成電位型NO_2センサを作製した。2%,5%,10%MoO_3と純In_2O_3をドープしたIn_2O_3をゾル-ゲル法で合成し,これらの材料はセンシング電極(SE)に適用した。NO_2~-感知特性に及ぼすMoO_3のドーピング量の影響を調べた。5wt%MoO_3をドープしたIn_2O_3センシング電極を用いたセンサは,0%,2%および10%MoO_3をドープしたIn_2O_3を用いた他のセンサよりも10 200ppmの範囲でNO_2に大きな感度を示すことが分かった。5%MoO_3をドープしたIn_2O_3センシング電極を用いたセンサは,高感度(59mV/decade),高温で良好な安定した再現性のある性能を示した。センサの電位差(ΔV)が,10 200ppmの試験した範囲でNO_2濃度と共にほぼ直線的に変化した。さらに,500°CでNO_2感度に及ぼす相対湿度の影響は少ないことは注目すべきである。センサのXRD分析,XPS分析,センシング材料のICP分析と修飾した分極曲線と組み合わせて,In_2O_3センシング電極にドープした,MoO_3が検出性能で重要な役割を果たしていることを推測することができ,NO_2~-センシング特性の改善のための可能な機構を提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ゾル-ゲル法 ,  *電位 ,  相対湿度 ,  高感度 ,  高温 ,  *センサ ,  X線回折 ,  *酸化ジルコニウム ,  再現性 ,  X線光電子分光法 ,  ドーピング ,  *ナノ複合材料
準シソーラス用語： 分極曲線 ,  混成電位 ,  YSZ【セラミック】 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： YSZ ,  In_2O_3 ,  MoO_3 ,  混合可能性 ,  NO_2センサ

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 安定化 ,  ジルコニア ,  ナノ複合材料 ,  電位