文献

J-GLOBAL ID：201702238833299223   整理番号：17A0214341

溶液処理したシリコンを用いた紙基板上の多結晶シリコンTFT【Powered by NICT】

Polycrystalline silicon TFTs on a paper substrate using solution-processed silicon

著者 (4件)： Trifunovic M. (Delft University of Technology, Faculty of Electronic Engineering, Mathematics and Computer Science, Delft, Netherlands) ,  Sberna P. M. (Delft University of Technology, Faculty of Electronic Engineering, Mathematics and Computer Science, Delft, Netherlands) ,  Shimoda T. (Japan Advanced Institute of Science and Technology, Green Devices Research Center, Nomi, Ishikawa 92301211, Japan) ,  Ishihara R. (Delft University of Technology, Faculty of Electronic Engineering, Mathematics and Computer Science, Delft, Netherlands)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 32.3.1-32.3.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液処理エレクトロニクスの作製およびフレキシブルエレクトロニクスへの応用の観点からの潜在的な低コストの利点のため,過去数年にわたって広く注目を集めている。シクロペンタシランはシリコンの溶液ベース処理に使用されている。液体として,材料は一般的に低熱収支を持つ低コストのフレキシブル基板上に直接適用し,エキシマレーザ処理を用いた液体をアニーリングすることによってである可能性がある。今までのところ,この物質をベースにしたエレクトロニクスは剛性と高コスト基板上に実証した。本研究では,シリコンは,紙基板上に溶液として適用し,PMOSとNMOS薄膜トランジスタ(TFT)に加工した。最大作製温度は約100°Cに制限した。紙基板上に素子を作製することができることにより,経路はシリコンエレクトロニクスの高性能の真の低コストと生分解性を組み合わせた新しい応用に向けて開いた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エキシマレーザ ,  *ケイ素 ,  NMOS構造 ,  焼なまし ,  *ポリシリコン ,  薄膜トランジスタ ,  熱収支 ,  剛性 ,  電子技術 ,  微生物分解性 ,  フレキシブル基板
準シソーラス用語： PMOS構造 ,  フレキシブルエレクトロニクス ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液処理 ,  シリコン ,  紙 ,  多結晶シリコン ,  TFT