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J-GLOBAL ID:201702238897723653   整理番号:17A0702668

フェムト秒2次元電子分光法を用いたCdSe/CdSナノ結晶における解離性電荷緩和経路【Powered by NICT】

Dissecting charge relaxation pathways in CdSe/CdS nanocrystals using femtosecond two-dimensional electronic spectroscopy
著者 (8件):
資料名:
巻:号: 13  ページ: 4572-4577  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2323A  ISSN: 2040-3364  CODEN: NANOHL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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CdSeおよび準II型CdSe/CdSコア/シェルナノ結晶の励起子緩和動力学をフェムト秒二次元電子分光法(2DES)を用いて調べた。2DESの使用が許されている五で形成されたCdSeナノ結晶の構造特異的及び状態分解キャリア動力学の定量のための以下の,CdS不動態化単分子層(ML)。CdSの三MLを通した1で形成されたCdSeおよびCdSe/CdSナノ結晶では,広帯域フェムト秒可視レーザパルスを用いた励起はX_1>=2.14eVとX_2>=2.27eV励起子状態間の電子-正孔対を発生させた。両方の励起では,電子は最低エネルギー励起(1S_e)伝導帯状態に促進され,正孔は1S_3/2(X_1)または2S_3/2(X_2)価電子帯状態にある。ホット正孔の緩和動力学は2の交差ピークの時間依存振幅をモニタリングすることによって単離した。CdSe価電子帯内のホット正孔の緩和の時定数は150±45fsであった。CdSによる不動態化すると,この正孔の緩和時間定数は170±30fsに増加した(CdSe/CdS 3ML)。このわずかな増加は,均一なCdSキャッピング層の成長に先行する傾斜,または合金,界面領域の生成に起因した。正孔緩和時間のわずかな増加は,CdSeナノ結晶コアに関してCdSe/CdS系のより大きなナノ結晶の体積を反映している。対照的に,より大きなコア/シェルナノ結晶(≧4ML CdS)の動力学を,2DES交差ピーク振幅のピコ秒ビルドアップを示した。この時間依存性応答は,CdSeの価電子帯状態へのCdSから界面正孔移動に起因した。重要なことに,2DESデータは,界面キャリア移動動力学からのCdSe励起子緩和を識別した。組合せにおいて,構造的に明確なナノ結晶と状態分解2DESの単離は電子キャリア動力学に及ぼすナノスケール構造改質の影響,ナノクラスタをベースとしたフォトニックデバイスを開発するための重要なを直接調べるために用いることができる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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半導体のルミネセンス  ,  塩 

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