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J-GLOBAL ID：201702239023358941   整理番号：17A0214292

急傾斜地電界効果トランジスタのためのライナTiNをAgTe/TiO-2に基づくしきい値スイッチング素子のモノリシック集積化【Powered by NICT】

Monolithic integration of AgTe/TiO₂ based threshold switching device with TiN liner for steep slope field-effect transistors

著者 (8件)： Song Jeonghwan (Dept. of Mat. Sci. and Eng., Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, Korea) ,  Park Jaehyuk (Dept. of Mat. Sci. and Eng., Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, Korea) ,  Moon Kibong (Dept. of Mat. Sci. and Eng., Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, Korea) ,  Woo Jiyong (Dept. of Mat. Sci. and Eng., Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, Korea) ,  Lim Seokjae (Dept. of Mat. Sci. and Eng., Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, Korea) ,  Yoo Jongmyung (Dept. of Mat. Sci. and Eng., Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, Korea) ,  Lee Dongwook (Dept. of Mat. Sci. and Eng., Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, Korea) ,  Hwang Hyunsang (Dept. of Mat. Sci. and Eng., Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 25.3.1-25.3.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AgTe/TiN/TiO_2/すずしきい値スイッチング(TS)素子をモノリシックシリコンMOSFETを集積した険しいサブしきい値のスロープ電界効果トランジスタを実証した。AgTe上部電極を持つTS素子は高いオン電流を示し,TeはフィラメントからのAgの抽出を可能にするからである。TiNライナーもバックエンドオブラインプロセスの間にTiO2層へのAgの内方拡散を防ぐためにAgTe/TiO_2界面に挿入した。最後に,TS装置を用いたトランジスタは400°C焼なまし工程後でも低ドレイン電圧(0.5 V)>10~8のサブ5mV/decサブ閾値傾斜(SS)と高いオン/オフ電流比(Ion/I_オフ)を持っている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： フィラメント ,  *スイッチング素子 ,  焼なまし ,  *銀 ,  *ライナ ,  界面 ,  *スイッチング ,  *テルル ,  *トランジスタ ,  MOSFET ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： オフ電流 ,  サブ閾値 ,  *モノリシック集積化 ,  *窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 急傾斜地 ,  電界効果トランジスタ ,  ライナ ,  TiN ,  しきい値 ,  スイッチング素子 ,  モノリシック集積化