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J-GLOBAL ID：201702239151881222   整理番号：17A0302158

酸化剤としてH_2Oを用いたMOCVDにより成長させたAlドープZnO透明導電層をもつ高性能InGaN/GaN MQW LED【Powered by NICT】

High-performance InGaN/GaN MQW LEDs with Al-doped ZnO transparent conductive layers grown by MOCVD using H_2O as an oxidizer

著者 (7件)： Lin Jiayong (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University) ,  Pei Yanli (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University) ,  Zhuo Yi (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University) ,  Chen Zimin (School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University) ,  Hu Ruiqin (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University) ,  Cai Guangshuo (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University) ,  Wang Gang (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 11  ページ： 118506_01-118506_04  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,AlドープZnO(AZO)透明導電層(TCL)を持つInGaN/GaN多重量子井戸発光ダイオード(LED)の高い性能を実証した。AZO TCLは,ポスト堆積アニーリング無しで400°Cのような低い温度で酸化剤としてH_2Oを用いた有機金属化学気相成長法(MOCVD)によるn +InGaN接触層上に作製した。n +InGaN接触層を持つp-GaN上に高透明性(98%),低抵抗率(510 ( 4)Ωcm),およびエピタキシャル様優れた界面を示した。2.82V@20mAの順方向電圧が得られた。最も重要なことは,電力効率は酸化インジウムスズTCL(LED III)をもつ従来のLEDと比較して53.8%@20mA電流注入と39.6%@350mAの電流注入による,と酸化剤(LED II)としてO_2を用いたMOCVDにより作製したAZO TCLを有するLEDに比べて28.8%@20mA電流注入と4.92%@350mAの電流注入により改善され,それぞれ顕著にすることができた。結果を酸化剤としてH_2Oを用いたMOCVDで成長させたAZO TCLは,低コストで高効率GaN系LED応用のための有望なTCLであることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力効率 ,  エピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  酸化インジウムスズ ,  焼なまし ,  界面 ,  多重量子井戸 ,  *MOCVD ,  発光ダイオード ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： 高効率 ,  電流注入 ,  透明性 ,  *InGaN ,  *導電層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 透明導電層 ,  AlドープZnO ,  発光ダイオード ,  MOCVD

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (10件)： 酸化剤 ,  MOCVD ,  成長 ,  AlドープZnO ,  透明導電層 ,  高性能 ,  InGaN ,  GaN ,  MQW ,  LED