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J-GLOBAL ID：201702239441316516   整理番号：17A0027203

選択領域成長:高品質MOS界面を有するリセスゲートGaN MOSFETのための有望な方法

Selective Area Growth: A Promising Way for Recessed Gate GaN MOSFET With High Quality MOS Interface

著者 (15件)： Zheng Y. (State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Yang F. (State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  He L. (State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Yao Y. (State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Shen Z. (State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Zhou G. (State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  He Z. (State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Ni Y. (State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Zhou D. (State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Zhong J. (State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Zhang X. (State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  He L. (State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Wu Z. (State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Zhang B. (State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Liu Y. (State Key Laboratory of Optoelectronics Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 9  ページ： 1193-1196  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 選択領域成長(SAG)技術に基づいて,無視できるゲートトラッピング効果,非常に小さい閾値電圧(Vth),ゲートバイアス掃引10Vまでで50mVのヒステレシスのエンハンスモードのGaNリセスゲートMOSFETを製作した。ドライエッチングにより製作した大きなVthヒステレシスのリセスゲートGaN MOSFETと比較して,V_thヒステレシスとプラズマドライエッチングプロセスによる格子損傷に関係するトラップの相関を確認した。更に,SAGリセスMOSFETはMOSチャネルの高い移動度のせいで低いオン抵抗を示した。SAG MOSFETのこれらの優れた性能は,Al₂O₃/GaN MOS界面のGaN表面の損傷の無い高品質の表面に起因すると考えられ,それはSAGが電力スイッチング応用の安定なGaNMOSFETに向けての有望な代替技術であることを示している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *選択成長 ,  *素子構造 ,  門 ,  *窒化ガリウム ,  *MOSFET ,  *界面 ,  *品質
準シソーラス用語： *GaN ,  ゲート ,  *リセス構造 ,  *高品質 ,  *領域選択成長

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 領域成長 ,  高品質 ,  MOS ,  界面 ,  GaN ,  MOSFET