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J-GLOBAL ID:201702239537272632   整理番号:17A0473229

紫外AlGaN系発光ダイオードの出力電力を改善するためのAgナノワイヤに基づく電極【Powered by NICT】

Ag nanowire-based electrodes for improving the output power of ultraviolet AlGaN-based light-emitting diodes
著者 (8件):
資料名:
巻: 703  ページ: 198-203  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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近紫外(NUV)AlGaN系発光ダイオード(LED)の光出力を向上させるためのハイブリッドAgナノドット(NDs)/Agナノワイヤ(NW)電極を開発した。385nmでは,p GaN/sapphire上に蒸着した10nm厚のITO のみの膜は70%の透過率を示したが,ハイブリッドAg NDs/Ag NW膜は47%の透過率を示した。ITO のみ,Ag NDs/Ag NW,および活性化Ag NDs/Ag NW電極を有するLEDは20mAで,それぞれ,3.50%,3.65%,および3.57Vの順方向バイアス電圧を示した。ITO のみ,Ag NDs/Ag NW,および活性化Ag NDs/Ag NW電極を有するLEDは14.3%,15.2%,14.5Ωの直列抵抗をそれぞれ生産した。Ag NDs/Ag NWと活性化Ag NDs/Ag NW電極を有するLEDはITO電極で生産されたものより20mAで,それぞれ,13.1%と23.7%高い光出力パワーを得た。10nm厚のITO のみ,Ag NDs/Ag NW,および活性化Ag NDs/Ag NW電極を持つLEDから得られた発光画像に基づいて,増強された光出力パワーは,効果的な電流広がりと電流注入に起因していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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光化学一般  ,  酸化物薄膜 
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