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J-GLOBAL ID：201702239671697840   整理番号：17A0410756

(00l)配向La_0La0.67Sr_0 33MnO_3/PbZr_0 52Ti_0Al0.48O_3ヘテロ構造膜の成長と磁気電気特性【Powered by NICT】

Growth and magnetoelectric properties of (00l)-oriented La_0.67Sr_0.33MnO₃/PbZr_0.52Ti_0.48O₃ heterostructure films

著者 (6件)： Yan Fuxue (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Han Kai (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Zhao Gaoyang (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Shi Xiaojing (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Song Na (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Jiao Zhichao (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China)
資料名： Materials Characterization  (Materials Characterization)
巻： 124  ページ： 90-96  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0448C  ISSN： 1044-5803  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c軸配向La_0 0.67Sr_0 0.33MnO_3(LSMO)/PbZr_0 0.52Ti_0Ti0.48O_3(PZT)膜をLaAlO_3(00l)基板上にゾル-ゲル法により成功裏に作製した。膜の構造,組成及び形態を,X線回折計(XRD,θ-2θ走査,ω-走査,φ-走査),X線光電子分光法(XPS),電界放出走査電子顕微鏡(FESEM)および高分解能透過電子顕微鏡(HRTEM)により調べた。ランダムc軸配向LSMO/PZT膜の電気的および磁気的性質を強誘電試験装置及び物理的性質測定システム(PPMS)を用いて比較研究した。エピタキシャルLSMO/PZT複合膜はc軸に沿って良く制御された成長,およびランダムに配向したものよりはるかに良好な磁気電気特性を示すことが分かった。ME電圧係数は本研究で提示した低コストゾル-ゲル法を用いて作製したc軸配向した,有望な応用に高い可能性を示すものでランダムに配向したLSMO/PZT複合膜から23mvcm~ 1Oe~ 1増加し52mvcm~ 1Oe~ 1である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査 ,  ゾル-ゲル法 ,  X線光電子分光法 ,  *磁気 ,  X線回折計 ,  複合膜 ,  *電気特性 ,  計測システム ,  X線回折
準シソーラス用語： 圧力係数 ,  比較研究 ,  HRTEM ,  電界放出型走査電子顕微鏡 ,  c軸配向 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： c軸配向膜 ,  磁気電気膜 ,  飽和磁化 ,  残留分極

分類 (1件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 配向 ,  ヘテロ構造 ,  成長 ,  磁気 ,  電気特性