文献

J-GLOBAL ID：201702239692146753   整理番号：17A0449293

高品質グラフェン膜のホットフィラメント化学蒸着のためのCu/Ni基板の巧妙な設計【Powered by NICT】

Ingenious design of Cu/Ni substrate for hot filament chemical vapor deposition growth of high quality graphene films

著者 (6件)： Chen Cheng (School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an 710069, PR China.) ,  Zhang Zhiyong (School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an 710069, PR China.) ,  Xu Manzhang (School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an 710069, PR China.) ,  Yan Junfeng (School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an 710069, PR China.) ,  Yun Jiangni (School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an 710069, PR China.) ,  Zhao Wu (School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an 710069, PR China.)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 72  ページ： 7-12  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu/Ni基板を,RFマグネトロンスパッタリングによる低欠陥密度Ni基板で作製し,Ni基板上のCu原子の組成は,スパッタリング時間により調節された。高品質グラフェン膜を,熱フィラメント化学蒸着システム(HFCVD)によりCu/Ni基板上に作製した。I_D/I_G比は全ての試料で非常に低かった(<<0.1),これは高品質グラフェン膜が得られた反映していた。Cu原子の組成はグラフェン膜の成長において重要な役割をplaid。Niの溶解析出機構およびCu/Ni基板上のCuの吸収と自己制限機構に基づいて,グラフェンの層は,Cu原子の組成によって抑制されたことが分かった。高品質グラフェン膜の異なる層が得られた。製造法の新しい成長機構を本研究で提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ニッケル ,  *銅 ,  溶解 ,  *化学蒸着 ,  スパッタリング ,  *グラフェン ,  欠陥密度 ,  *高品質
準シソーラス用語： 成長メカニズム ,  HFCVD ,  RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェン ,  薄膜 ,  Cu/Ni基板 ,  HFCVD ,  RFマグネトロンスパッタリング

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高品質 ,  グラフェン膜 ,  フィラメント ,  化学蒸着 ,  Cu ,  Ni基 ,  設計