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J-GLOBAL ID：201702239754233700   整理番号：17A0107817

原子層沈積銅薄膜研究の進展【JST・京大機械翻訳】

Latest Progress in Growth of Copper Thin Film by Atomic Layer Deposition

著者 (7件)： Guo Qun (Beijing Key Laboratory of Printing & Packaging Materials and Technology,Laboratory of Plasma Physics and Materials,Beijing Institute of Graphic Communication) ,  Guo Zheng (Beijing Key Laboratory of Printing & Packaging Materials and Technology,Laboratory of Plasma Physics and Materials,Beijing Institute of Graphic Communication) ,  Sang Lijun (Beijing Key Laboratory of Printing & Packaging Materials and Technology,Laboratory of Plasma Physics and Materials,Beijing Institute of Graphic Communication) ,  Wang Anling (Beijing Key Laboratory of Printing & Packaging Materials and Technology,Laboratory of Plasma Physics and Materials,Beijing Institute of Graphic Communication) ,  Tian Xu (Beijing Key Laboratory of Printing & Packaging Materials and Technology,Laboratory of Plasma Physics and Materials,Beijing Institute of Graphic Communication) ,  Yang Lizhen (Beijing Key Laboratory of Printing & Packaging Materials and Technology,Laboratory of Plasma Physics and Materials,Beijing Institute of Graphic Communication) ,  Liu Zhongwei (Beijing Key Laboratory of Printing & Packaging Materials and Technology,Laboratory of Plasma Physics and Materials,Beijing Institute of Graphic Communication)
資料名： Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao  (Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao)
巻： 36  号： 8  ページ： 856-861  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2159A  ISSN： 1672-7126  CODEN： CKKSDV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： マイクロエレクトロニクス分野における銅互連技術は,連続的かつ良好なコンフォーマルを必要とし,集積回路における特性サイズの減少と溝のアスペクト比の増加に伴い,従来の熱蒸着プロセスは将来の製造要求を満たすことができない。本論文では、新しい強還元剤前駆体を用いた銅金属の堆積技術の研究進展を紹介し、水素プラズマ補助原子炉による薄膜技術の研究現状を重点的に述べ、各種の銅前駆体を用いて銅薄膜の堆積パラメータ及び調製した銅薄膜の性能について概説した。各プロセスの利点と欠点を要約した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *銅 ,  真空蒸着 ,  原子炉 ,  マイクロエレクトロニクス ,  還元剤 ,  集積回路 ,  前駆体 ,  アスペクト比
準シソーラス用語： 水素プラズマ ,  *銅薄膜 ,  *原子層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Copper seed layer ,  Atomic layer deposition ,  Low temperature ,  Plasma

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電話・データ通信・交換一般  (ND11010T) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子層 ,  銅薄膜 ,  研究 ,  進展