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J-GLOBAL ID：201702240110162305   整理番号：17A0697824

金(Au)炭化ほう素界面での強い結合【Powered by NICT】

Strong binding at the gold (Au) boron carbide interface

著者 (9件)： Echeverria Elena (Department of Physics and Astronomy, Nebraska Center for Nanostructures and Materials, University of Nebraska-Lincoln, 855 North 16th Street, Lincoln, NE 68588-0299, USA) ,  Dong Bin (Department of Chemistry, University of North Texas, 1155 Union Circle #305070, Denton, TX 76203, USA) ,  Liu Aiyun (Department of Physics and Astronomy, Nebraska Center for Nanostructures and Materials, University of Nebraska-Lincoln, 855 North 16th Street, Lincoln, NE 68588-0299, USA) ,  Liu Aiyun (Department of Physics, Shanghai Normal University, 100 Gin Lin Road, Shanghai 200234, China) ,  Wilson Ethiyal R. (Department of Physics and Astronomy, Nebraska Center for Nanostructures and Materials, University of Nebraska-Lincoln, 855 North 16th Street, Lincoln, NE 68588-0299, USA) ,  Peterson George (Department of Mechanical and Materials Engineering, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE 68583-0857, USA) ,  Nastasi Michael (Department of Mechanical and Materials Engineering, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE 68583-0857, USA) ,  Dowben Peter A. (Department of Physics and Astronomy, Nebraska Center for Nanostructures and Materials, University of Nebraska-Lincoln, 855 North 16th Street, Lincoln, NE 68588-0299, USA) ,  Kelber Jeffry A. (Department of Chemistry, University of North Texas, 1155 Union Circle #305070, Denton, TX 76203, USA)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 314  ページ： 51-54  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線光電子放出による半導体炭化ホウ素を用いた金(Au)の相互作用を調べた。Auは表面上に堆積したとき,closo 1,7 ジカルバドデカボラン(metacarborane,m B_10C_2H_12)のプラズマ増強化学蒸着(PECVD)により堆積した,水素化した半導体炭化ホウ素膜を,内殻準位光電子放出の特徴の結合エネルギーのシフトを示した。Bの1s準位のシフトであるCの1s準位のより小さく,シフトの不均一性は,表面との強い,複雑で可逆的Au化学的相互作用を示し,特にCサイトであった。容量対電圧C(V)および電流-電圧I(V),は50ns,PECVD,オルソーカルボラン炭化ほう素膜のための35μsよりも有意に小さいキャリア散乱時間収率p型Si(100)上に蒸着した膜の結果。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不均一性 ,  *炭化ホウ素 ,  キャリア散乱 ,  水素化 ,  X線 ,  相互作用 ,  内殻準位 ,  光電子放出 ,  電圧 ,  *金 ,  結合エネルギー ,  半導体 ,  電流 ,  プラズマCVD
準シソーラス用語： 化学的相互作用 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 炭化ほう素 ,  金属接触 ,  電気的性質 ,  キャリア寿命

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K) ,  気相めっき  (WC08022K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 金 ,  Au ,  炭化ほう素 ,  界面