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J-GLOBAL ID：201702240184812081   整理番号：17A0214164

低温処理した末端結合金属接触を有するカーボンナノチューブ相補型論理【Powered by NICT】

Carbon nanotube complementary logic with low-temperature processed end-bonded metal contacts

著者 (5件)： Tang Jianshi (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Height, New York, USA) ,  Cao Qing (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Height, New York, USA) ,  Farmer Damon B. (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Height, New York, USA) ,  Tulevski George (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Height, New York, USA) ,  Han Shu-Jen (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Height, New York, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 5.1.1-5.1.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温処理した末端脱骨した金属接触を用いたCNTベースの相補型論理を実証した。新しい形末端結合した接触の高い炭素溶解度(例えば,Ni,Co)との金属接触体への炭素の溶解と,これは低アニーリング温度(400 600 °C)のみを必要とする。作製した末端結合したNi接触はCNTにロバストなp型接触として機能し,スケール寸法で標準Pd側面接触よりも良好に機能する。添加では,安定なNFETはn型物理化学的ドーピング層としてAl_2O_3を用いたPFETから変換した。CMOSインバータは,両方のPFETとNFETの末端結合した接触で構築された,最小接触サイズ,CNTインバータのための離れを特徴とした。これらの新たな知見は,CNTに基づくスケーラブルCMOS技術を実現するための道を開くことができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ニッケル ,  ロバスト性 ,  炭素 ,  物理化学
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  アニーリング温度 ,  *低温処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 低温処理 ,  カーボンナノチューブ ,  論理