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J-GLOBAL ID：201702240221596913   整理番号：17A0347387

赤外検出器用PBSE薄膜の研究の現状【JST・京大機械翻訳】

Research Status of Lead Selenide Thin Films Used for Infrared Detectors

著者 (4件)： Sun Xigui (Department of Materials Physics and Chemistry, University of Science and Technology Beijing) ,  Gao Kewei (Department of Materials Physics and Chemistry, University of Science and Technology Beijing) ,  Pang Xiaolu (Department of Materials Physics and Chemistry, University of Science and Technology Beijing) ,  Yang Huisheng (Department of Materials Physics and Chemistry, University of Science and Technology Beijing)
資料名： Hongwai Jishu  (Hongwai Jishu)
巻： 38  号： 12  ページ： 1005-1019  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2520A  ISSN： 1001-8891  CODEN： HOJIEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： PBSE薄膜は,一種のナローギャップ半導体材料として,優れた室温光電感度と応答性のために,鉛の赤外検出器に広く使用されている。本論文では,PBSE薄膜の性能特性,調製技術,後処理技術,理論的研究方向,および国内外のPBSE赤外検出器の研究状況を要約し,これらに基づいて,PBSE赤外検出薄膜材料とデバイスの将来の発展方向を検討した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  鉛 ,  後処理 ,  *赤外検出器 ,  応答特性
準シソーラス用語： 薄膜材料 ,  性能特性 ,  光電気 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： lead selenide thin film ,  preparation technology ,  post-treatment technology

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 赤外検出器 ,  PbSe ,  薄膜 ,  研究 ,  現状