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J-GLOBAL ID：201702240412538650   整理番号：17A0885751

近接ゲッタリングによる増強出力電圧センシングマージンのための水素イオン注入誘起ナノ空洞により設計したSi CMOSイメージセンサ【Powered by NICT】

Si CMOS Image-Sensors Designed With Hydrogen-Ion Implantation Induced Nanocavities for Enhancing Output Voltage Sensing Margin via Proximity Gettering

著者 (4件)： Kim Il-Hwan (Department of Electronics Computer Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Park Jun-Seong (Department of Electronics Computer Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Shim Tae-Hun (Department of Electronics Computer Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Park Jea-Gun (Department of Electronics Computer Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 5  ページ： 2345-2349  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si CMOSイメージセンサ(CIS)細胞は,CIS太陽電池の出力電圧のセンシングマージンを改善するSiフォトダイオード領域下の水素イオン注入誘起ナノ空洞(直径20~35nm)の近接緩和ゲッタリングサイトを実行することによって設計した。出力電圧センシングマージンの劣化をほとんど可能にせず,Fe,Cu,Ni,およびCo汚染物質の~10~14cm~ 2はCIS太陽電池のフォトダイオード領域に導入され,優れた緩和ゲッタリング能力を実証した。しかし,広く使用されている,p/p~++エピタキシャルウエハを用いて設計したSi CIS太陽電池はSiフォトダイオード領域中のCuおよびNi汚染物質の濃度が有意に減少したCIS細胞のセンシングマージンは増加し,偏析ゲッタリング能力を示しないことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 緩和現象 ,  *イオン注入 ,  偏析 ,  太陽電池 ,  *ゲッタリング ,  汚染物質 ,  *ケイ素 ,  銅 ,  *CMOS ,  フォトダイオード ,  *水素 ,  ニッケル ,  *イメージセンサ
準シソーラス用語： *ナノキャビティ ,  *出力電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  撮像・録画装置  (ND12032E)

タイトルに関連する用語 (11件)： ゲッタリング ,  増強 ,  出力電圧 ,  センシング ,  水素イオン ,  注入 ,  誘起 ,  ナノ空洞 ,  設計 ,  Si ,  CMOSイメージセンサ