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J-GLOBAL ID：201702240461995467   整理番号：17A0884432

移動ヒータ法により成長させたCdZnTe結晶中の深い準位欠陥の研究【Powered by NICT】

Studies on the deep-level defects in CdZnTe crystals grown by travelling heater method

著者 (16件)： Zhou Boru (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, P.R. China) ,  Zhou Boru (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, Shaanxi 710072, P.R. China) ,  Jie Wanqi (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, P.R. China) ,  Jie Wanqi (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, Shaanxi 710072, P.R. China) ,  Wang Tao (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, P.R. China) ,  Wang Tao (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, Shaanxi 710072, P.R. China) ,  Xu Lingyan (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, P.R. China) ,  Xu Lingyan (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, Shaanxi 710072, P.R. China) ,  Yang Fan (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, P.R. China) ,  Yang Fan (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, Shaanxi 710072, P.R. China) ,  Yin Liying (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, P.R. China) ,  Yin Liying (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, Shaanxi 710072, P.R. China) ,  Fu Xu (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, P.R. China) ,  Fu Xu (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, Shaanxi 710072, P.R. China) ,  Nan Ruihua (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, P.R. China) ,  Nan Ruihua (Shaanxi Key Laboratory of Optoelectronic Functional Materials and Devices, School of Materials and Chemical Engineering, Xi’an Technological University, Xi’an 710021, P.R. China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 5  ページ： ROMBUNNO.201600748  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 移動ヒータ法により成長させたCZT:Inインゴットの軸に沿った深い準位欠陥の変化を熱刺激電流(TSC)スペクトルにより調べた。異なる欠陥では,Te_i,V_Cd間の反応のためのモデルは,成長方向に沿って深準位欠陥の変化を分析するために使用した。Inドーパント欠陥の密度は,先端における低いことが分かったが,TeアンチサイトとTe格子間原子のそれは先端の方が高かった。カドミウム空格子点の密度は初期に増加し,その後,インゴットの尾部への先端からの下降傾向を示した。PLスペクトルでは,(D_0,X),(DAP)とD_complexピークの強度は尾部への先端から,Inドーパント欠陥(InCd+),Cd空格子点と不純物の密度の増加に起因した。正味自由正孔の低濃度をHall測定によって見出された,p型伝導と高い抵抗率はI-V解析から実証した。電子の移動度は先端尾部の860±10cm~2V~ 1s~ 1では634±26cm~2V~ 1秒~ 1から有意に増加することが見出され,深準位欠陥密度の減少によるものであった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 格子間原子 ,  *深い準位 ,  正孔 ,  インジウム ,  *加熱器 ,  欠陥密度 ,  *カドミウム ,  インゴット ,  ドーパント ,  熱刺激電流 ,  電気抵抗率 ,  *テルル ,  不純物 ,  スペクトル
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CdZnTe ,  深準位欠陥 ,  電気的性質 ,  移動ヒータ法

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： ヒータ ,  成長 ,  CdZnTe ,  結晶 ,  深い準位 ,  欠陥 ,  研究