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J-GLOBAL ID:201702240505832601   整理番号:17A0775214

パターン化シリコンナノワイヤの作製【JST・京大機械翻訳】

Preparation of the Patterning Silicon nanowires
著者 (3件):
資料名:
巻: 15  号:ページ: 587-590  発行年: 2009年 
JST資料番号: C2096A  ISSN: 1007-4252  CODEN: GCQXFW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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本論文では、通常の常温(常圧、大気圧など)条件下で、金属触媒化学エッチング方法を利用して、シリコンウエハ表面上に大面積の配列整列、配向一致のシリコンナノワイヤ配列を作製した。同時に、後続の作成のセンサーを考慮し、マイクロエレクトロニクス標準加工技術を利用して、窒化ケイ素をマスクとし、適切な実験パラメータを選択することにより、シリコンウエハ表面に選択的にナノワイヤを成長させ、パターン化されたシリコンナノワイヤ配列を得た。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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著者キーワード (3件):
分類 (1件):
分類
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太陽電池 
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