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J-GLOBAL ID：201702240624556186   整理番号：17A0277115

GaNベース量子井戸発光ダイオードの特性の研究と最適化【Powered by NICT】

Study and optimization of characteristics of GaN based quantum well light emitting diode

著者 (3件)： Jha Chandan Kumar (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Hamirpur, H.P., India) ,  Vikas (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Hamirpur, H.P., India) ,  Pandey Saurabh Kumar (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Patna, Bihar, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICPEICES  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 青色InGaN/GaN多重量子井戸の内部量子効率(IQE),I-V関係,電力電流および自然発生速度に及ぼすP層の種々の厚さの井戸の数の影響(MQW)発光ダイオード(LED)をAPSYSソフトウェアの助けを借りてシミュレートし,調べた。結果は単一量子井戸と薄いP型LED電子ブロッキング層(EBL)は,低い注入レベルで有意に良好な結果を与えることを示した。高注入レベルでは厚いEBLと多重量子は良好な結果を与える。低注入レベルでは単一量子とLEDは,約98.20%の内部量子効率を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多重量子井戸 ,  電流 ,  *量子井戸 ,  自然発生 ,  *発光ダイオード ,  多重化 ,  ソフトウェア ,  *最適化 ,  電力 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： ブロッキング層 ,  単一量子井戸 ,  内部量子効率 ,  InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  量子井戸 ,  発光ダイオード ,  研究 ,  最適化