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J-GLOBAL ID：201702241073742295   整理番号：17A0181084

2.5μm波長操作のための高速と高出力GaSbに基づくフォトダイオード【Powered by NICT】

High-speed and high-power GaSb based photodiode for 2.5 μm wavelength operations

著者 (6件)： Chao Rui-Lin (Department of Photonics, National Chiao-Tung University, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Wun Jhih-Min (Department of Photonics, National Chiao-Tung University, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Wang Yu-Wen (Department of Photonics, National Chiao-Tung University, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Chen Yi-Han (Department of Photonics, National Chiao-Tung University, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Bowers J. E. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California Santa Barbara, CA, 93106) ,  Shi Jin-Wei (Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan 320, Tawian)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IPC  ページ： 472-473  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2.5pm波長動作のためのGaSbベースフォトダイオードにおける部分空乏化Ga_0 8In_0 2As_0 16Sb_0 0.84吸収体を用いて,このようなデバイスは,低暗電流( 2Vで0.7μΑ)と高速・高飽和電流(3.6 mA/6 GHz)性能を達成した。デバイスモデル化の結果は,内部キャリア応答時間はその動的性能を制限することを示唆した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  固体素子モデル ,  *高速度 ,  吸収体 ,  キャリア ,  *アンチモン化ガリウム ,  暗電流 ,  応答時間 ,  *波長
準シソーラス用語： 飽和電流 ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： M波 ,  高出力 ,  GaSb ,  フォトダイオード