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J-GLOBAL ID:201702241145029581   整理番号:17A0402806

垂直自立GaPナノワイヤ上でのコンパクトGaドープZnO層の形成【Powered by NICT】

Formation of a compact Ga-doped ZnO layer over vertical free-standing GaP nanowires
著者 (9件):
資料名:
巻: 395  ページ: 162-165  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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垂直自立GaPナノワイヤ(NW)上の薄いナノ結晶ZnO層の堆積の過程を調べた。小型GaP NW/ZnO層構造に基づく複合材料反射防止膜の新しいタイプの調製を提示した。NWは有機金属気相エピタクシーを用いて調製した。~厚さ0.3nmのAu層から生成されたAu種子,GaP基板蒸着により上に蒸着したで成長させた。RFスパッタリングは50~250nmの公称厚さを持つZnO層をもつNWと基板をカバーするために使用した。薄いZnO層は,NWを包み,基板をカバーしたが,厚い膜は,NWの間の体積を満たし,ZnO被覆は,綿棒のそれに似た形状を取得した。コンパクトで平坦化したGaP NW/ZnO層構造はArイオンによるZnOエッチングによるZnO蒸着を変化させることにより達成された。ZnO充填の程度が異なる,GaP NW/ZnO層構造したGaP NWとGaP基板のそれにsuperioirことを反射防止挙動を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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