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J-GLOBAL ID：201702241147786358   整理番号：17A0187901

n-GaAs層の表面にInAs量子ドットを堆積したn-GaAsをベースとした金属-絶縁体-半導体構造物の物性

Physical properties of metal-insulator-semiconductor structures based on n-GaAs with InAs quantum dots deposited onto the surface of an n-GaAs layer

著者 (7件)： Tikhov S. V. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod (NNSU), Nizhny Novgorod, Russia) ,  Gorshkov O. N. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod (NNSU), Nizhny Novgorod, Russia) ,  Koryazhkina M. N. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod (NNSU), Nizhny Novgorod, Russia) ,  Kasatkin A. P. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod (NNSU), Nizhny Novgorod, Russia) ,  Antonov I. N. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod (NNSU), Nizhny Novgorod, Russia) ,  Vihrova O. V. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod (NNSU), Nizhny Novgorod, Russia) ,  Morozov A. I. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod (NNSU), Nizhny Novgorod, Russia)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 50  号： 12  ページ： 1589-1594  発行年： 2016年12月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体/n-GaAs界面に埋め込まれたInAs量子ドットを含む絶縁体として,酸化シリコンとイットリア安定化ジルコニアおよびハフニアを使用し,それらの絶縁体を有するn-GaAsをベースとした金属-絶縁体-半導体(MIS)の特性を研究する。この構造は,抵抗スイッチングおよびシナプス挙動を示す。Copyright 2016 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： N型半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  半導体薄膜 ,  *量子ドット ,  絶縁材料 ,  *酸化ケイ素 ,  セラミック ,  *酸化イットリウム ,  *酸化ジルコニウム ,  *MOS構造 ,  スイッチング ,  物理的性質 ,  容量電圧特性 ,  コンダクタンス ,  電流電圧特性 ,  シナプス ,  酸化ハフニウム ,  *ヒ化インジウム ,  絶縁体
準シソーラス用語： *InAs量子ドット ,  *イットリア安定化ジルコニア ,  抵抗スイッチング

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  InAs量子ドット ,  堆積 ,  金属-絶縁体-半導体構造 ,  物性