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J-GLOBAL ID：201702241199980068   整理番号：17A0775944

同時蒸着により成長させた多結晶GaSb薄膜【Powered by NICT】

Polycrystalline GaSb thin films grown by co-evaporation

著者 (5件)： Qiao Zaixiang (Institute of Photoelectronic Thin Film Device and Technology, Nankai University) ,  Sun Yun (Institute of Photoelectronic Thin Film Device and Technology, Nankai University) ,  He Weiyu (Institute of Photoelectronic Thin Film Device and Technology, Nankai University) ,  He Qing (Institute of Photoelectronic Thin Film Device and Technology, Nankai University) ,  Li Changjian (Institute of Photoelectronic Thin Film Device and Technology, Nankai University)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 30  号： 3  ページ： 26-29  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソーダ石灰ガラス基板上に共蒸着により成長させることに成功した多結晶GaSb薄膜の光学的および電気的特性を報告した。薄膜は(111)方向の優先配向を持っている。SEMの結果は,GaSb薄膜の平均粒径は560°Cの基板温度で500nmであることを示した。GaSb薄膜の平均反射率は約30%であり,吸収係数は104cm 1のオーダーであった。GaSb薄膜の光学バンドギャップは0.726eVであった。正孔濃度はGa蒸発temperature/Sb蒸発温度(TGa/TSb)比が増加すると明確な増加傾向を示した。Gaるつぼ温度は810°Cであり,二律背反るつぼ温度は415°Cであるとき,多結晶GaSbの正孔濃度は1017 2 cm 3であり,正孔移動度は130cm2/(V s)である。これらの結果は,多結晶GaSb薄膜はTPV電池の安価な材料として使用するための良好な候補であることを示唆した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  *薄膜 ,  蒸発 ,  *同時蒸着 ,  光学ギャップ ,  ソーダ石灰ガラス ,  基板温度 ,  *多結晶 ,  電気的性質 ,  坩堝 ,  反射率 ,  *アンチモン化ガリウム ,  *ガリウム ,  優先配向
準シソーラス用語： 正孔濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 基板温度 ,  バンドギャップ ,  同時蒸着 ,  多結晶GaSb膜

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 同時蒸着 ,  成長 ,  多結晶 ,  GaSb ,  薄膜