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J-GLOBAL ID：201702241206197935   整理番号：17A0318495

Pb_2MoO_5の電子構造:第一原理DFT計算とX線分光測定【Powered by NICT】

The electronic structure of Pb₂MoO₅: First-principles DFT calculations and X-ray spectroscopy measurements

著者 (8件)： Khyzhun O.Y. (Frantsevich Institute for Problems of Materials Science, NAS of Ukraine, 3 Krzhyzhanivsky Street, Kyiv UA-03142, Ukraine) ,  Bekenev V.L. (Frantsevich Institute for Problems of Materials Science, NAS of Ukraine, 3 Krzhyzhanivsky Street, Kyiv UA-03142, Ukraine) ,  Atuchin V.V. (Laboratory of Optical Materials and Structures, Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, Novosibirsk 90, 630090, Russia) ,  Atuchin V.V. (Functional Electronics Laboratory, Tomsk State University, Tomsk 634050, Russia) ,  Atuchin V.V. (Laboratory of Semiconductor and Dielectric Materials, Novosibirsk State University, Novosibirsk 630090, Russia) ,  Pokrovsky L.D. (Laboratory of Optical Materials and Structures, Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, Novosibirsk 90, 630090, Russia) ,  Shlegel V.N. (Laboratory of Crystal Growth, Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, SB RAS, Novosibirsk 90, 630090, Russia) ,  Ivannikova N.V. (Laboratory of Crystal Growth, Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, SB RAS, Novosibirsk 90, 630090, Russia)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 105  ページ： 315-322  発行年： 2016年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： lanarkite型Pb_2MoO_5の電子構造を実験的および理論的方法で調べた。XPSおよびXES測定は,LTG Cz法によって成長させたPb_2MoO_5結晶から調製した切断原子平滑(20<span style=text-decoration:overline>1</span>)表面で行った。Pb_2MoO_5を構成する原子の全及び部分状態密度のab initio計算を,フルポテンシャル線形化増強平面波(FP LAPW)法を用いて得られた。Pb_2MoO_5の価電子帯への主要な寄与因子は頂部と価電子バンドの中心部に優先的に寄与する,Oの零二p状態である。Pb6SおよびMoの4d状態が他の主要寄与因子である:それらの主な貢献は,底部と価電子帯の中央部で生じた。FP-LAPWデータはPb_2MoO_5化合物は間接ギャップ材料であることを明らかにした:価電子帯最大と伝導帯最小はXおよびM点で発生した。XPS内殻準位及び価電子帯スペクトルを純粋およびAr~+イオン照射したPb_2MoO_5(20<span style=text-decoration:overline>1</span>)表面を測定し測定は3.0keVのAr~+イオン照射を参照してPb_2MoO_5(20<span style=text-decoration:overline>1</span>)へき開表面の高い化学的安定性を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *第一原理 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  *密度汎関数法 ,  内殻準位 ,  *モリブデン ,  *X線分光法 ,  平面波 ,  *電子構造 ,  イオン照射
準シソーラス用語： 化学的安定性 ,  FPLAPW法 ,  第一原理計算 ,  部分状態密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： X線光電子分光法 ,  X線発光分光法 ,  電子構造 ,  ab initio計算

分類 (2件)： 溶接部  (WC07100I) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子構造 ,  第一原理 ,  DFT計算 ,  X線分光