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J-GLOBAL ID：201702241346672031   整理番号：17A0085433

90nmSiGe・BiCMOSによる71~86GHzスイッチレス非対称双方向トランシーバ

A 71-86-GHz Switchless Asymmetric Bidirectional Transceiver in a 90-nm SiGe BiCMOS

著者 (3件)： Wu Po-Yi (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at San Diego, La Jolla, CA, USA) ,  Kijsanayotin Tissana (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at San Diego, La Jolla, CA, USA) ,  Buckwalter James F. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at San Diego, La Jolla, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 64  号： 12  ページ： 4262-4273  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論は,E帯(71~86GHz)双方向トランシーバを紹介した。時分割二重アーキテクチャは,高周波損失を最小にするため,信号経路にトランジスタバイアシングを利用して送信(TX)/受信(RX)スイッチを避ける。低雑音増幅器(LNA)と電力増幅器(PA)を広帯域PA/LNA回路に組み入れた。これは広帯域電力合成器を介する各回路の寄生負荷を軽減する。双方向トランシーバ回路を90nmSiGe/BiCMOSプロセスで実装した。TXモードにおいて,双方向トランシーバは,71~86GHzの3dB帯域幅を持ち78GHzにおいて11dBmの最大飽和電力を送信する。RXモードでは,73GHzにおいて最大30.6dBの変換利得と最小6.6dBの雑音指数を測定で得た。総合のRFフロントエンドチップの消費は,全てのRF,IFと局部発振器増幅器を含んで,TXとRXにおいてそれぞれ350.2と137.7mW DC電力であった。全チップサイズはパッドを含み1.5mm×0.9mmであった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 無線伝送 ,  *送受信機 ,  半導体材料 ,  *BiCMOS ,  双方向通信 ,  非対称性 ,  *周波数帯
準シソーラス用語： *E帯 ,  SiGe ,  *トランシーバ

分類 (1件)： 無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (5件)： BiCMOS ,  レス ,  非対称 ,  双方向 ,  トランシーバ