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J-GLOBAL ID：201702241439355896   整理番号：17A0312166

変位電流測定法を用いた電荷注入障壁の決定【Powered by NICT】

Determination of charge injection barrier using the displacement current measurement technique

著者 (4件)： Tajima Hiroyuki (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan) ,  Miyao Fumitaka (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan) ,  Mizukoshi Masato (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan) ,  Sato Seiichi (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 34  ページ： 193-199  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 変位電流測定(DCM)を用いた注入障壁を決定する新しい方法を報告した。この技術は,金属を含まないフタロシアニン(H_2Pc)/AgとH_2Pc/MoO_3/Agの接合に適用した。H_2Pcの最高被占分子軌道とH_2Pcの最低非占有分子軌道へのAgからの注入障壁を評価し,0.4Vと1.8Vであった。障壁はH_2PcにMoO_3/Ag電極からの正孔注入のための形成されなかった。これらの結果は,H_2Pc,AgおよびMoO_3のイオン化エネルギーに基づいて上に構築されたエネルギー図とは相対的に一貫性のあるH_2Pcに対する電子親和力に加えて。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 銀 ,  HOMO ,  イオン化ポテンシャル ,  *電流測定 ,  分子軌道 ,  電子親和力 ,  *キャリア注入
準シソーラス用語： 正孔注入 ,  *変位電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 注入障壁 ,  変位電流測定 ,  DCM ,  イオン化エネルギー ,  電子親和性 ,  無金属フタロシアニン

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 変位 ,  電流測定法 ,  電荷注入 ,  障壁