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J-GLOBAL ID：201702241499797538   整理番号：17A0362410

ナノメータMOSFETの小信号モデリングのための改良非埋め込み手法【Powered by NICT】

An improved de-embedding procedure for nanometer MOSFET small signal modeling

著者 (4件)： Zhou Ying (School of Information Science and Technology, East China Normal University, Shanghai 200062, PR China) ,  Yu Panpan (School of Information Science and Technology, East China Normal University, Shanghai 200062, PR China) ,  Yan Na (School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, PR China) ,  Gao Jianjun (School of Information Science and Technology, East China Normal University, Shanghai 200062, PR China)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 57  ページ： 60-65  発行年： 2016年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノメータ金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)デバイスモデル化のための短いテスト構造の改善された等価回路モデルを提案した。給電線の表皮効果は,提案したモデルで考慮に入れた。従来の開放/短絡ディエンベディング法とは異なる対応するディエンベディング法もここで提示した。MOSFET小信号モデルパラメータを決定するために用いられてきた半解析的方法。40GHzの周波数範囲で90nm MOSFETのシミュレーション結果と測定結果の間の良い一致が得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 周波数 ,  FET【トランジスタ】 ,  電力供給 ,  シミュレーション ,  固体素子モデル ,  表皮効果 ,  酸化物 ,  テスト構造 ,  *MOSFET ,  半導体
準シソーラス用語： 小信号モデル ,  等価回路モデル ,  *ナノメータ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MOSFET ,  ディエンベディング手法 ,  モデル ,  表皮効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノメータ ,  MOSFET ,  信号モデリング ,  埋め込み ,  手法