文献

J-GLOBAL ID：201702241753395721   整理番号：17A0026056

ゲートエッジを終端化したAlGaN/GaN Schottkyダイオードの電気特性に与えるアノードリセスの影響の統計的解析

Statistical Analysis of the Impact of Anode Recess on the Electrical Characteristics of AlGaN/”GaN Schottky Diodes With Gated Edge Termination

著者 (11件)： Hu Jie (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Belgium) ,  Stoffels Steve (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Belgium) ,  Lenci Silvia (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Belgium) ,  De Jaeger Brice (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Belgium) ,  Ronchi Nicolo (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Belgium) ,  Tallarico Andrea Natale (Department of Electrical, Electronic, and Information Engineering, Advanced Research Center on Electronic System, University of Bologna, Cesena, Italy) ,  Wellekens Dirk (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Belgium) ,  You Shuzhen (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Belgium) ,  Bakeroot Benoit (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Belgium) ,  Groeseneken Guido (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Belgium) ,  Decoutere Stefaan (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 9  ページ： 3451-3458  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿は,200mmシリコン基板上のゲートエッジ終端AuフリーAlGaN/GaN Schottkyダイオード(GET-SBD)の逆リーク電流,準電圧(V_F),ダイナミック特性に与えるアノードリセスの影響を広範囲に調べた。アノードリセスのための原子層エッチング(ALE)サイクル数を増やすと以下のことが分かった。1)逆リーク電流は,GET領域でのチャネルピンチオフのための静電制御がよいために強く抑制され,6ALEサイクルのGET-SBDで~1nA/mmのメジアンリーク電流と10⁸以上のI_ON/I_OFF比が達成される。2)ウエハに亘る統計的分布を考慮すると,順電圧(~1.3V)はほとんどALEサイクルに関係していない。3)残存AlGaN障壁が非常に薄くなると(6ALEサイクルの場合),主にGET領域によるON抵抗の広がりが,残存ALGaN厚と表面品質の制御困難さによって発生する。4)GET-SBDのダイナミック順電圧はパルスI-V特性でALEプロセスにゆるい依存性を示し,よりALEに依存するダイナミックON抵抗が観察された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  化合物半導体 ,  *アノード ,  漏れ電流 ,  論理回路 ,  論理素子 ,  エッチング ,  確率分布 ,  統計解析 ,  素子構造 ,  HEMT
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  III-V半導体 ,  Schottkyダイオード ,  リーク電流 ,  *リセス構造 ,  ロジックゲート ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  統計的分布

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲート ,  エッジ ,  終端 ,  AlGaN ,  GaN ,  Schottkyダイオード ,  電気特性 ,  統計的解析