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J-GLOBAL ID：201702241987547553   整理番号：17A0181116

直接結合されたInP/SiO-2/Si基板上にエピタキシャル成長させたIII-V活性層を用いた不均一集積レーザ【Powered by NICT】

Heterogeneously integrated lasers using epitaxially grown III-V active layer on directly bonded InP/SiO₂/Si substrate

著者 (8件)： Fujii Takuro (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan) ,  Takeda Koji (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan) ,  Kanno Erina (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan) ,  Hasebe Koichi (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan) ,  Nishi Hidetaka (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan) ,  Yamamoto Tsuyoshi (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan) ,  Kakitsuka Takaaki (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan) ,  Matsuo Shinji (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IPC  ページ： 540-541  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 膜レーザを作製するために,SiO/Si基板に直接結合した薄いInP層上の活性InGaAsP6QWコア層を成長させた。デバイスは40Gbit/sまで,1.35mAしきい値電流,wWファイバ出力パワー,直接変調を示す(NRZ)。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *レーザ ,  *リン化インジウム ,  *活性層
準シソーラス用語： 直接変調 ,  閾値電流 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (8件)： InP ,  SiO ,  Si基板 ,  エピタキシャル成長 ,  活性層 ,  不均一 ,  集積 ,  レーザ