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J-GLOBAL ID：201702242109750126   整理番号：17A0244882

ユーロピウムおよびボラタシクロオクタテトラレン配位子とH-Ge(001)-2×1面の構造をもつサンドイッチ型分子ワイヤの理論研究

Theoretical Studies of Sandwich Molecular Wires with Europium and Boratacyclooctatetraene Ligand and the Structure on a H-Ge(001)-2×1 Surface

著者 (4件)： YAO Xiaojing (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  YUAN Shijun (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  WANG Jinlan (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  WANG Jinlan (Hunan Normal Univ., Changsha, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 120  号： 13  ページ： 7088-7093  発行年： 2016年04月07日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素ドープユウロピウムシクロオクタテトラレンサンドイッチ型分子ワイヤ(SMW),[EuCOTB]_∞および[Eu-COTB-Eu-COT]_∞(COT=シクロオクタテトラエン=C₈H₈,COTB=ボラタシクロオクタテトラレン)の構造,電子および磁気特性を研究した。両SMWは単位胞当り約13μ_Bの超高磁気モーメントをもち,ドーピングはSMWの構造安定性とスピン安定性を同時に向上することを,計算は示した。交互ドーピングは,FM半導体[Eu-COT]_∞を[Eu-COTB-Eu-COT]_∞中のFM半金属に調整することもできる。さらに,複素環式配位子中の活性官能性ホウ素原子は,半導体表面に化学的に結合したワイヤの固定により実際のナノエレクトロニクスにおいてSMWを促進することができる。Ge[001]基板上に閉じ込められた[Eu-COTB-Eu-COT]_∞ワイヤは,擬半金属強磁性であり,中庸の電場下で完全半金属に調整することもできる。この異常な特性は,スピントロニクスにおけるSMWの適用を促進する。

シソーラス用語： *ユウロピウム錯体 ,  *配位子 ,  *サンドイッチ構造 ,  *分子素子 ,  結晶格子 ,  磁気モーメント ,  ドーピング ,  スピン ,  半金属 ,  スピントロニクス ,  ホウ素錯体 ,  複素環化合物 ,  強磁性
準シソーラス用語： *分子ワイヤ ,  単位胞 ,  複素環式化合物

分類 (2件)： 遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X) ,  有機化合物の磁性  (BM06070A)

タイトルに関連する用語 (7件)： ユーロピウム ,  配位子 ,  Ge ,  サンドイッチ ,  分子ワイヤ ,  理論 ,  研究