文献

J-GLOBAL ID：201702242248432430   整理番号：17A0888289

k-最近傍とファジィk-最近傍を用いたプラズマエッチングプロセス中の粒子汚染検出【Powered by NICT】

Particles contaminations detection during plasma etching process by using k-nearest neighbors and Fuzzy k-nearest neighbors

著者 (7件)： Somari Noratika Mohammad (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi MARA (UiTM) Malaysia, Kampus Pulau Pinang, 13500 Permatang Pauh, Malaysia) ,  Abdullah Mohd Firdaus (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi MARA (UiTM) Malaysia, Kampus Pulau Pinang, 13500 Permatang Pauh, Malaysia) ,  Osman Muhammad Khusairi (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi MARA (UiTM) Malaysia, Kampus Pulau Pinang, 13500 Permatang Pauh, Malaysia) ,  Nazelan Abdul Mu’iz (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi MARA (UiTM) Malaysia, Kampus Pulau Pinang, 13500 Permatang Pauh, Malaysia) ,  Ahmad Khairul Azman (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi MARA (UiTM) Malaysia, Kampus Pulau Pinang, 13500 Permatang Pauh, Malaysia) ,  Appanan Sooria Pragash Rao S. (Infineon Technologies (Kulim) Sdn. Bhd, Lot 10&11, Industrial Zone Phase II, Kulim Hi-Tech Park 09000, Kedah, Malaysia) ,  Hooi Loh Kwang (Infineon Technologies (Kulim) Sdn. Bhd, Lot 10&11, Industrial Zone Phase II, Kulim Hi-Tech Park 09000, Kedah, Malaysia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICCSCE  ページ： 512-516  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,k最近傍(kNN)とファジィk-最近傍(FkNN)を用いてプラズマエッチングプロセス中の粒子汚染検出を提案した。半導体製造デバイスのプロセスでは,プロセスツールにおける粒子汚染を検出する生成物収率の決定のための重要な因子である。in situ粒子は実時間での現実的条件下で粒子を測定するための可能生産環境における汚染制御の正確でコスト効果的な方法である。データは二つの情報源統計的工程管理(SPC)データベースと高度プロセス制御(APC)データベースから収集した。電圧バイアスの標準偏差,範囲電圧バイアスの最大と最小の間,平均電圧バイアスと時間当たりの無線周波数(RF)である四つの特徴がある。これらデータを解析し,プラズマエッチングプロセス中の粒子汚染数と相関できることが重要な特徴を同定した。本研究では,kNNとFkNNを用いて分析,個々のパラメータ解析と組合せいくつかのパラメータ解析の二つの部分である。分析,二レベルの汚染に分類するために用い,粒子汚染は低く,高かった。解析結果により,kNN法はバイアス電圧の標準偏差を用いて最高の精度が83.33%とFkNNは組合せパラメータRF時間の組み合わせと電圧バイアスの標準偏差から80.56%解析に最高の精度を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 情報源 ,  電圧 ,  SPC【工程管理】 ,  *曖昧さ ,  バイアス ,  データベース ,  *粒状物汚染 ,  標準偏差 ,  汚染防止
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  k最近接法 ,  パラメトリック解析 ,  無線周波数 ,  実時間 ,  半導体製造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： データ保護  (JD01020V) ,  二次電池  (YB04030K) ,  計測機器一般  (AD02000X) ,  分子構造  (EB03020Y) ,  蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ファジィ ,  プラズマ ,  エッチングプロセス ,  粒子汚染