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J-GLOBAL ID：201702242391183868   整理番号：17A0758165

遷移金属ペロブスカイトカルコゲン化物の構造的および化学的調節によるバンドギャップ制御【Powered by NICT】

Bandgap Control via Structural and Chemical Tuning of Transition Metal Perovskite Chalcogenides

著者 (11件)： Niu Shanyuan (Mork Family Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Southern California, 925 Bloom Walk, HED 216, Los Angeles, CA, 90089, USA) ,  Huyan Huaixun (Mork Family Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Southern California, 925 Bloom Walk, HED 216, Los Angeles, CA, 90089, USA) ,  Liu Yang (Mork Family Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Southern California, 925 Bloom Walk, HED 216, Los Angeles, CA, 90089, USA) ,  Yeung Matthew (Ming Hsieh Department of Electrical Engineering, University of Southern California, 3740 McClintock Avenue, EEB 102, Los Angeles, CA, 90089, USA) ,  Ye Kevin (Mork Family Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Southern California, 925 Bloom Walk, HED 216, Los Angeles, CA, 90089, USA) ,  Blankemeier Louis (Ming Hsieh Department of Electrical Engineering, University of Southern California, 3740 McClintock Avenue, EEB 102, Los Angeles, CA, 90089, USA) ,  Orvis Thomas (Mork Family Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Southern California, 925 Bloom Walk, HED 216, Los Angeles, CA, 90089, USA) ,  Sarkar Debarghya (Ming Hsieh Department of Electrical Engineering, University of Southern California, 3740 McClintock Avenue, EEB 102, Los Angeles, CA, 90089, USA) ,  Singh David J. (Department of Physics and Astronomy, University of Missouri, Columbia, MO, 65211-7010, USA) ,  Kapadia Rehan (Ming Hsieh Department of Electrical Engineering, University of Southern California, 3740 McClintock Avenue, EEB 102, Los Angeles, CA, 90089, USA) ,  Ravichandran Jayakanth (Mork Family Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Southern California, 925 Bloom Walk, HED 216, Los Angeles, CA, 90089, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 9  ページ： ROMBUNNO.201604733  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ペロブスカイトカルコゲン化物は高い吸収係数と発光効率を有するこの多才な半導体の新しいクラスである。ヨウ素で触媒された固相反応により合成した多結晶材料を光ルミネセンスにおける可視領域を横切る明瞭な光色と調整可能なバンドギャップを示し,単結晶InPとCdSeのレベルに近い材料の外部効率の一つであった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多結晶 ,  単結晶 ,  ヨウ素 ,  *遷移金属 ,  光ルミネセンス ,  吸収係数 ,  リン化インジウム ,  *カルコゲン化物 ,  セレン化カドミウム ,  固相反応 ,  *バンドギャップ ,  半導体
準シソーラス用語： 光源色 ,  可視領域 ,  発光効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バンドギャップ同調性 ,  高吸収係数 ,  定量的光ルミネセンス ,  semiconductors ,  遷移金属ペロブスカイトカルコゲン化物

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 遷移金属 ,  ペロブスカイト ,  カルコゲン化物 ,  バンドギャップ