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J-GLOBAL ID:201702242695028264   整理番号:17A0416830

0.18μm CMOS技術を用いた高効率良好な線形性21~26.5GHz完全集積電力増幅器【Powered by NICT】

A high-efficiency good linearity 21 to 26.5 GHz fully integrated power amplifier using 0.18 μm CMOS technology
著者 (6件):
資料名:
巻: 2016  号: MWSCAS  ページ: 1-4  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,準ミリ波帯無線通信システム用の21~26.5GHz広帯域二段階CMOS電力増幅器(PA)の設計と実装を提示した。提案したPAはスタガード調整法[1]を用いて設計した,準ミリ波帯で初めて採用した。に加えて,源とロードプルシミュレーションインピーダンス分析を用いて,最大電力付加効率(PAE)と良好な直線性のための入力,出力,および段間インピーダンス整合回路を最適化した。42mWのみを消費しながら0.18μm CMOS技術を用いて製作したチップの測定結果は,24GHzで,それぞれ,10.2±0.8dBの電力利得,最大PAEと出力利得圧縮点(Pout1dB)10.5dBmと 18%を示した。添加では,PAは75±22psの優れた低グループ遅延変動を達成した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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増幅回路 
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