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J-GLOBAL ID：201702242942176813   整理番号：17A0551109

4H-SiC C面上MOS界面特性のウェット酸化による酸化膜成長量依存性にみられる界面欠陥減少過程と膜中欠陥変化過程の速度的差異

著者 (2件)： 梶房裕之 (東大 大学院工学系研究科) ,  喜多浩之 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.17p-301-3  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *MOS構造 ,  *酸化 ,  薄膜成長 ,  MOSFET ,  二酸化ケイ素 ,  エピタクシー ,  酸化膜 ,  欠陥 ,  反応速度 ,  酸化速度 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  界面欠陥 ,  膜中欠陥

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (10件)： 4H-SiC ,  MOS ,  界面特性 ,  酸化 ,  酸化膜 ,  成長 ,  界面欠陥 ,  過程 ,  欠陥 ,  差異