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J-GLOBAL ID：201702242999779306   整理番号：17A0138057

有機ハロゲン化ペロブスカイト及び二次元材料に基づくvan der Waalsヘテロ接合素子

van der Waals Heterojunction Devices Based on Organohalide Perovskites and Two-Dimensional Materials

著者 (10件)： CHENG Hung-Chieh (Univ. California, California, USA) ,  WANG Gongming (Univ. California, California, USA) ,  LI Dehui (Univ. California, California, USA) ,  HE Qiyuan (Univ. California, California, USA) ,  YIN Anxiang (Univ. California, California, USA) ,  LIU Yuan (Univ. California, California, USA) ,  WU Hao (Univ. California, California, USA) ,  DING Mengning (Univ. California, California, USA) ,  HUANG Yu (Univ. California, California, USA) ,  DUAN Xiangfeng (Univ. California, California, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 16  号： 1  ページ： 367-373  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高ドープSi基板のシリコン酸化膜上の剥離したグラフェン(Gr)にヨウ化鉛PbI₂剥片を積層し,気相のヨウ化メチルアンモニウムとの反応によるインターカレーションにより,PbI₂を有機ハロゲン化ペロブスカイトであるヨウ化鉛メチルアンモニウム(MALI,CH₃NH₃PbI₃)に変換し,さらにGrを積層し,上下のGrをソース,ドレイン電極とし基板Siをゲートとする垂直型ヘテロ接合FETを作製して最高の量子収率950A/Wと光導電利得~2200を達成した。さらにGr/WSe₂/MALI/Grヘテロ接合により高いオンオフ比(~10⁶),ゲート可変のダイオード特性と開放電圧を達した。これらの結果は多様な二次元材料と有機ハロゲン化ペロブスカイトの組み合わせと組成による光エレクトロニクス材料への広い可能性への端緒を示した。

シソーラス用語： *層状化合物 ,  *ペロブスカイト型結晶 ,  *ヘテロ接合 ,  グラフェン ,  *鉛錯体 ,  *ヨウ素錯体 ,  ウエハ【IC】 ,  酸化膜 ,  *タングステン化合物 ,  *多硫化物 ,  FET【トランジスタ】 ,  量子収量 ,  光伝導 ,  比率 ,  電圧 ,  *多層膜
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  シリコン基板 ,  *二硫化タングステン ,  開放電圧

分類 (2件)： 非遷移金属元素の錯体  (CE01030C) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： メチルアンモニウム

タイトルに関連する用語 (5件)： ハロゲン化 ,  ペロブスカイト ,  二次元材料 ,  VAN ,  ヘテロ接合