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J-GLOBAL ID：201702243178123487   整理番号：17A0325953

透明デラホサイト型CuGa_1 xCr_xO_2系の電子遷移:第一原理計算と温度に依存したスペクトル実験【Powered by NICT】

Electronic transitions of the transparent delafossite-type CuGa_1-xCr_xO₂ system: first-principles calculations and temperature-dependent spectral experiments

著者 (7件)： Wang Junyong (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (ECNU), Shanghai Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China. [e-mail]) ,  Zhang Peng ,  Deng Qinglin ,  Jiang Kai ,  Zhang Jinzhong ,  Hu Zhigao ,  Chu Junhao
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 1  ページ： 183-191  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0≦x≦1のCuGa_1 xCr_xO_2(CGCOx)系の構造と光学的性質を理論的計算と光学実験を組み合わせることにより調べた。一般化勾配近似(GGA)内の密度汎関数理論を用いて,CGCOx系の電子構造を計算した。遷移金属イオンの3d状態とOの2p状態の間の強い混成,CGCOx材料の電子遷移に及ぼす重要な影響を明らかにした。さらに,理論的結果を確認するために,異なるCr組成を持つCGCOx膜をゾル-ゲル法により堆積し,光学的性質を温度依存UV-Vis透過率及び赤外反射分光法により直接測定した。二つの音響モード(E_uとA_2u)の頻度は徐々に増加したが,電子バンドギャップの値はCr組成,強いCr-O共有結合相互作用に起因するの増加と共に直線的に減少した。注目すべきことに,付加的な直接電子バンドギャップはCuGa_0 0.75Cr_0 0.25O_2膜,低温領域における異常挙動を示すのが観測された。は価電子帯のトップでのp-d電子混成に帰属できた。これらの結果は,第一原理計算は実験データと良く一致し,CGCOx膜のバンド間遷移の微視的起源を説明するために使用できることを示した。本研究は,オプトエレクトロニクスデバイスの分野でデラフォサイト型酸化物の応用の可能性を改善する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共有結合 ,  温度依存性 ,  *電子遷移 ,  透過率 ,  音響モード ,  *クロム ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  ゾル-ゲル法 ,  価電子バンド
準シソーラス用語： デラフォサイト型結晶 ,  バンド間遷移 ,  遷移金属イオン ,  一般化勾配近似 ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子遷移 ,  第一原理計算 ,  スペクトル ,  実験