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J-GLOBAL ID：201702243223629210   整理番号：17A0174596

二次元硫化水素原子結晶材料の化学気相堆積法とそのデバイス【JST・京大機械翻訳】

Chemical Vapor Deposition and Device Application of Two-Dimensional Molybdenum Disulfide-Based Atomic Crystals

著者 (5件)： Zeng Tian (State Key Laboratory of Mechanics and Control of Mechanical Structures, Key Laboratory for Intelligent Nano Materials and Devices of the Ministry of Education and Institute of Nanoscience, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics) ,  You Yuncheng (State Key Laboratory of Mechanics and Control of Mechanical Structures, Key Laboratory for Intelligent Nano Materials and Devices of the Ministry of Education and Institute of Nanoscience, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics) ,  Wang Xufeng (State Key Laboratory of Mechanics and Control of Mechanical Structures, Key Laboratory for Intelligent Nano Materials and Devices of the Ministry of Education and Institute of Nanoscience, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics) ,  Hu Tingsong (College of Material Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics) ,  Tai Guoan (State Key Laboratory of Mechanics and Control of Mechanical Structures, Key Laboratory for Intelligent Nano Materials and Devices of the Ministry of Education and Institute of Nanoscience, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics)
資料名： Huaxue Jinzhan  (Huaxue Jinzhan)
巻： 28  号： 4  ページ： 459-470  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2012A  ISSN： 1005-281X  CODEN： HJINEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 二次元遷移金属金属化合物はそのバンドギャップが強い層数依存性を有するため、電子デバイスにおいて広い応用前景がある。単一層二硫化モリブデン(MOS_2)は,一連の光電子,電気的,磁気的,熱的,および機械的性質を有する,一連の代表的バンドギャップ半導体である。二次元MOS_2は,光電検出,光起電素子,電界効果トランジスタ,メモリ素子,谷電子,スピンデバイス,温度差電器,マイクロエレクトロメカニカルデバイス,およびシステムに広く使用されている。化学蒸着(CVD)法は,MOS_2,MOSE_2,WS_2,およびWSE_2のような原子間化合物のための主要な方法であり,特に,CVD法を用いて,二次元MOS_2材料を調製した。この方法により調製したMOS_2薄膜は,電子および光電子デバイスにおいて広く研究されている。二次元MOS_2の基本的物性から出発して,MOS_2の製造プロセスを詳細に紹介した。例えば、熱分解チオ、硫化モリブデン(MOO_(3-X))薄膜の調製法、MOO_(3-X)粉体とカルコゲン前駆体の気相合成法とモリブデン表面の直接硫化法であり、MOS_2に基づく二次元ヘテロ接合の構築方法を紹介した。本論文では,電界効果トランジスタ,光電検出器,フレキシブル電子デバイスおよびヘテロ接合素子における二次元MOS_2の応用について詳細に述べ,半導体素子における二次元材料の応用を展望した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *硫化水素 ,  磁気 ,  モリブデン ,  バンドギャップ ,  *硫化 ,  熱分解 ,  ヘテロ接合 ,  *二次元 ,  硫化モリブデン ,  記憶素子 ,  光電子
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  光電気 ,  二硫化モリブデン ,  電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： molybdenum disulfide ,  chemical vapor deposition ,  optoelectronic devices ,  2D heterostructures

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 硫化 ,  水素原子 ,  結晶 ,  化学気相堆積