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J-GLOBAL ID:201702243236694009   整理番号:17A0158986

HFO_2薄膜の性質に及ぼす電子ビームの位置の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Influence of Oxygenating Port Position on Properties of HfO_2 Films Deposited by Electron Beam Evaporation
著者 (5件):
資料名:
巻: 43  号: 10  ページ: 1003001_01-1003001_6  発行年: 2016年 
JST資料番号: C5022A  ISSN: 0258-7025  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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充Yang口の位置は,真空室内の酸素分布に直接影響し,その結果,膜の光学的性質に重要な影響を及ぼした。HFO_2薄膜の性質に及ぼす充Yang口位置の影響を研究するために,HFO_2単層膜を,2つの典型的充Yang口位置で,電子ビーム蒸発技術によって,石英基板上に蒸着した。紫外-可視光分光光度計とX線光電子分光光度計を用いて,異なる位置でのHFO_2薄膜の光学的性質と化学組成を研究した。実験結果により、充Yang口を基板付近に設置することは、緻密性が良く、酸化が十分なHFO_2薄膜を得るのに有利であることが分かった。実際の容器の構造に基づいて,単純化したモデルを確立し,K-Ε二次方程式乱流モデルを用いて,被覆プロセスにおける酸素分布を三次元数値シミュレーションによって計算した。シミュレーション結果は実験結果を良く説明した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  光物性一般 
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