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J-GLOBAL ID：201702243236694009   整理番号：17A0158986

HFO_2薄膜の性質に及ぼす電子ビームの位置の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Influence of Oxygenating Port Position on Properties of HfO_2 Films Deposited by Electron Beam Evaporation

著者 (5件)： Zheng Ruxi (Key Laboratory of Materials for High Power Laser, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences) ,  Yi Kui (Key Laboratory of Materials for High Power Laser, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences) ,  Fan Zhengxiu (Key Laboratory of Materials for High Power Laser, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences) ,  Shao Jianda (Key Laboratory of Materials for High Power Laser, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences) ,  Tu Feifei (Key Laboratory of Materials for High Power Laser, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Zhongguo Jiguang  (Zhongguo Jiguang)
巻： 43  号： 10  ページ： 1003001_01-1003001_6  発行年： 2016年 
JST資料番号： C5022A  ISSN： 0258-7025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 充Yang口の位置は,真空室内の酸素分布に直接影響し,その結果,膜の光学的性質に重要な影響を及ぼした。HFO_2薄膜の性質に及ぼす充Yang口位置の影響を研究するために,HFO_2単層膜を,2つの典型的充Yang口位置で,電子ビーム蒸発技術によって,石英基板上に蒸着した。紫外-可視光分光光度計とX線光電子分光光度計を用いて,異なる位置でのHFO_2薄膜の光学的性質と化学組成を研究した。実験結果により、充Yang口を基板付近に設置することは、緻密性が良く、酸化が十分なHFO_2薄膜を得るのに有利であることが分かった。実際の容器の構造に基づいて,単純化したモデルを確立し,K-Ε二次方程式乱流モデルを用いて,被覆プロセスにおける酸素分布を三次元数値シミュレーションによって計算した。シミュレーション結果は実験結果を良く説明した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 三次元 ,  X線光電子分光法 ,  光学的性質 ,  二次方程式 ,  可視光 ,  *電子ビーム ,  光度計 ,  分光光度計 ,  化学組成 ,  電子ビーム蒸着 ,  酸素 ,  簡素化 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 石英基板 ,  単層膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： thin films ,  HfO_2 film ,  oxygenating port position ,  k-ε model ,  electron beam evaporation ,  numerical simulation

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  性質 ,  電子ビーム ,  研究