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J-GLOBAL ID：201702243248552461   整理番号：17A0163980

IGBTモジュールのゲート電圧電圧プラットフォームの遅延と接合部温度の間の関係性を研究した。【JST・京大機械翻訳】

The Relationship Between Junction Temperature and Time Delay of Gate Voltage Miller Plateau of IGBT Module

著者 (5件)： Fang Huachao (School of Information University of Chinese Academy of Science) ,  Zheng Libing (Institute of Electrical Engineering Chinese Academy of Science) ,  Wang Chunlei (School of Information University of Chinese Academy of Science) ,  Fang Guangrong (Institute of Electrical Engineering Chinese Academy of Science) ,  Han Li (Institute of Electrical Engineering Chinese Academy of Science)
資料名： Diangong Jishu Xuebao  (Diangong Jishu Xuebao)
巻： 31  号： 18  ページ： 134-141  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2502A  ISSN： 1000-6753  CODEN： DIJXE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： IGBTモジュールのゲート電圧電圧プラットフォームの遅延と接合部温度T_Jの関係について研究を行い、まず理論の角度からMUELLERプラットフォームの遅延温度特性を分析した。第二に,安定した信頼性のある遅延時間遅れ測定システムを設計して,ゲートプラットフォームの時間遅れの正確な測定を実現した。最後に,一定の条件(定電圧,一定電流)の下で,MUELLERプラットフォームの遅延と接合部温度の間の関係を実験的に検証した。理論と実験により、MUELLERプラットフォームの時間遅れは接合温度の変化によって変化し、しかも両者は非常に良好な線形比例関係を呈し、接合温度T_Jは1°C上昇し、ゲート電圧MUELLERプラットフォーム時間は0.74NS延長した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 信頼性 ,  電流 ,  計測システム ,  線形性 ,  *IGBT ,  *電圧
準シソーラス用語： 時間遅れ ,  遅延時間 ,  温度特性 ,  *接合温度 ,  *ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Insulated gate bipolar transistor ,  gate voltage ,  Miller plateau ,  temperature characteristic

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： IGBT ,  モジュール ,  ゲート電圧 ,  プラットフォーム ,  遅延 ,  接合部温度 ,  関係性 ,  研究