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J-GLOBAL ID：201702243606560961   整理番号：17A0062098

表面形態とInP(100)基板上に成長させたGaSb/InGaAsタイプII量子ドットの光学的性質に及ぼす層間As In_xGa(1 x)の影響【Powered by NICT】

Effect of In_xGa_(1-x)As Interlayer on Surface Morphology and Optical Properties of GaSb/InGaAs Type-II Quantum Dots Grown on InP (100) Substrates

著者 (7件)： Chen Yulong (Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Gao You (Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Chen Hong (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Hui (College of Physics and Optoelectric Engineering, Guangdong University of Technology) ,  He Miao (Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Li Shuti (Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Zheng Shuwen (Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 9  ページ： 098101-1-098101-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaSb/InGaAs量子ドット(QD)の形態とGaSb/InGaAsQD材料系の光学特性に及ぼすInGaAs中間層におけるIn組成の効果を調べた。A FM像は,InGaAs中間層におけるIn組成比の変化は,GaSb量子ドット形態を変えることができることを示した。InGaAs中間層における低インジウム組成は,QDの形成を促進することができるが,高インジウム組成は,QDの形成を抑制することができた。低励起パワー下で8KでGaSb/InGaAs量子ドットの光ルミネセンス(PL)スペクトルは励起パワーの第三根であるピーク位置,第二種材料光学遷移に属するそれらのルミネセンスの直接証拠を提供する線形であることを示した。90mWの励起パワー下で8KでのPLスペクトルは,GaSb/InGaAsQD材料系の光学的性質をInGaAs中間層におけるインジウム組成によって影響を受ける可能性があると,PLピーク位置はインジウム組成の直線的であることを示した。GaSb/InGaAs量子ドットの光学的性質をInGaAs中間層中のインジウム組成を調整することによって改善することができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *量子ドット ,  励起 ,  *リン化インジウム ,  *光学的性質 ,  光ルミネセンス ,  *アンチモン化ガリウム ,  ルミネセンス ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  線形性 ,  *インジウム ,  複合材料
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル ,  光学遷移 ,  中間層 ,  *表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (8件)： 表面形態 ,  InP ,  成長 ,  GaSb ,  InGaAs ,  タイプ ,  量子ドット ,  光学的性質