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J-GLOBAL ID：201702244261331165   整理番号：17A0214305

28nm論理に埋め込まれた高機能で信頼性のある8Mb STT-MRAM【Powered by NICT】

Highly functional and reliable 8Mb STT-MRAM embedded in 28nm logic

著者 (19件)： Song Y. J. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea) ,  Lee J. H. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea) ,  Shin H. C. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea) ,  Lee K. H. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea) ,  Suh K. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea) ,  Kang J. R. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea) ,  Pyo S. S. (S. LSI division, Samsung Electronic Corp, Kiheung, Korea) ,  Jung H. T. (S. LSI division, Samsung Electronic Corp, Kiheung, Korea) ,  Hwang S. H. (S. LSI division, Samsung Electronic Corp, Kiheung, Korea) ,  Koh G. H. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea) ,  Oh S. C. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea) ,  Park S. O. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea) ,  Kim J. K. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea) ,  Park J. C. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea) ,  Kim J. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea) ,  Hwang K. H. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea) ,  Jeong G. T. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea) ,  Lee K. P. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea) ,  Jung E. S. (R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 27.2.1-27.2.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい統合/スタック/パターン形成技術を開発することにより,28nmのCMOS論理プラットフォームに埋め込まれた8Mb1T1MTJ STT-MRAMマクロを作製した。MTJメモリセルアレイは磁気的性質のオープン故障と劣化なしにCuバックエンドに埋め込むことに成功した。MgO/CoFeBを用いた先進垂直MTJスタックは完全積分後180%の高いTMR値を示すために開発した。添加では,イオンビームエッチング(IBE)プロセスは電力,角度,及び圧力を最適化ショート故障を1ppm未満にすることである。これら新規技術により,85~0Cおよび10歳の広いセンシングマージンと強い保持特性を有する高機能で信頼性のある8Mb eMRAMマクロを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  積分 ,  パターン形成 ,  故障 ,  銅 ,  イオンエッチング ,  電力 ,  磁気的性質 ,  酸化マグネシウム ,  *信頼性 ,  CMOS
準シソーラス用語： バックエンド ,  断線 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 論理 ,  STT-MRAM