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J-GLOBAL ID:201702244488297891   整理番号:17A0369761

Y TSIG法による任意の残留液相のない単一ドメインYBCOバルク超伝導体を作製するための新しい方法【Powered by NICT】

A novel method to fabricate single domain YBCO bulk superconductors without any residual liquid phase by Y+011 TSIG technique
著者 (5件):
資料名:
巻: 692  ページ: 95-100  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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トップシード浸潤成長(TSIG)技術は,単一ドメインYBCOバルク超伝導体の作製のための非常に重要な方法である。しかし,液相源としてY系複合材料(YBa_2Cu_3O_7δ+Ba_3Cu_5O_8など)の利用のため,二つの問題が残っている。一つははまだTSIGプロセス,材料の過剰廃棄物である後の液相源のいくつかの残基が存在することである;もう一つは残留液相源は困難であり,単一ドメインYBCOバルクからカットオフされなければならないことである。これらの問題を克服するために,TSIGプロセス中の従来の固相Y_2BaCuO_5を置き換えるために伝統的な液相(YBa_2Cu_3O_7δ+Ba_3Cu_5O_8)と(Y_2O_3+BaCuO_2)の新しい固相を置換する(3BaCuO_2~+2CuO)の新しい液相を用いた残留液相源を完全に除去する新しい方法を提案した。YBCOバルクの形態,浮上力,微細構造,そしてトラップ場に及ぼす(3BaCuO_2~+2CuO)含有量の影響を調べた。単一ドメインYBCOバルクを妥当なTSIGプロセスによる液相源で作製できることが分かった。YBCOバルク試料の捕捉磁場と浮上力は0.3520Tと40.85Nであり,0.3190Tと37.21Nそれぞれ従来の液体相で作製した試料のそれよりも高かった。も液相源の残基は,合理的な新しい液相源(3BaCuO_2~+2CuO)を用いて完全に除去されていることが分かった。は,低コスト,高い浮上力と残留液体相を含まないTSIGプロセスによる高品質単一ドメインYBCOバルク超伝導体を作製するための新しい方法を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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著者キーワード (3件):
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酸化物系超伝導体の物性  ,  酸化物薄膜 
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