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J-GLOBAL ID：201702244526954133   整理番号：17A0704870

Cu_2ZnSnS_4とCu_2ZnSnSe_4ベース薄膜太陽電池の等価回路のモデル化【Powered by NICT】

Modelling of an equivalent circuit for Cu₂ZnSnS₄- and Cu₂ZnSnSe₄-based thin film solar cells

著者 (4件)： Shibayama Naoyuki (Technical Research Institute, Toppan Printing Co., Ltd., Sugito 345-8508, Japan. [e-mail]) ,  Zhang Yiwen ,  Satake Tetsuo ,  Sugiyama Mutsumi
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 41  ページ： 25347-25352  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2ZnSn(S, Se)4(CZT(S, Se))太陽電池の界面の内部抵抗と品質を,電気化学インピーダンス分光法(EIS)を用いて調べた。接触と材料抵抗を含むR_bulk,二並列抵抗,CZT(S, Se)/CdSヘテロ接合とMo-Mo(S, Se)2/czt(S, Se)バックコンタクト界面周辺の一定相要素(CPE)と呼ばれる「静電容量のような要素のCZT(S, Se)太陽電池の等価回路を開発した。EIS法を用いて,Mo(S, Se)とCZT(S, Se)層の状態を非破壊的にデジタル化することができた。この結果は,CZT(S, Se)太陽電池や半導体デバイスの性能を改良するためのガイドラインを提供することができる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *銅 ,  半導体素子 ,  品質 ,  静電容量 ,  *太陽電池 ,  スペクトロスコピー ,  *等価回路 ,  界面 ,  ヘテロ接合 ,  *モデリング ,  電気化学インピーダンス分光法 ,  内部抵抗 ,  *薄膜太陽電池
準シソーラス用語： ディジタル化 ,  バックコンタクト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電極過程  (CB07040U) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜太陽電池 ,  等価回路 ,  モデル化