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J-GLOBAL ID：201702244590881145   整理番号：17A0214154

MOSFETとTFETのためのSi上の多重III-V族半導体のモノリシック集積化【Powered by NICT】

Monolithic integration of multiple III-V semiconductors on Si for MOSFETs and TFETs

著者 (7件)： Schmid H. (IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  Cutaia D. (IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  Gooth J. (IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  Wirths S. (IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  Bologna N. (EMPA, Electron Microscopy Center, 8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Moselund K. E. (IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  Riel H. (IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 3.6.1-3.6.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,テンプレート支援選択エピタクシー(TASE)を用いたSi上の種々のIII-V化合物のモノリシック集積化と電子デバイスへの応用に関する著者らの研究を報告した。ナノワイヤ,クロスバーナノ構造,およびミクロンサイズのシートがエピタキシャル有機金属化学蒸着によりSi上に成長させ,III-V族MOSFETとトンネルFETのための基礎を形成する。TASEに特異的なエピタクシー条件を議論し,材料品質を評価した。ここでは,相補群IV技術可能性すべてのIII-V代替としてInAsおよびGaSbに焦点を当てた。スケールn-FETならびに両nおよびpチャネルTFETはSi上に作製し,TASEの可能性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,  ナノ構造 ,  アンチモン化ガリウム ,  エピタクシー ,  MOCVD ,  *多重化 ,  チャネル ,  品質 ,  *半導体 ,  ナノワイヤ ,  *MOSFET
準シソーラス用語： 電子素子 ,  *モノリシック集積化 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOSFET ,  TFET ,  Si ,  多重 ,  III-V族半導体 ,  モノリシック集積化