文献

J-GLOBAL ID：201702244628260627   整理番号：17A0445234

PECVDを用いて成長させた単一の少数層グラフェンの低温合成と電界放出特性【Powered by NICT】

Low temperature synthesis and field emission characteristics of single to few layered graphene grown using PECVD

著者 (5件)： Kumar Avshish (Department of Physics, Jamia Millia Islamia (A Central University), New Delhi, India) ,  Khan Sunny (Department of Physics, Jamia Millia Islamia (A Central University), New Delhi, India) ,  Zulfequar M. (Department of Physics, Jamia Millia Islamia (A Central University), New Delhi, India) ,  Harsh (Department of Physics, Jamia Millia Islamia (A Central University), New Delhi, India) ,  Husain Mushahid (Department of Physics, Jamia Millia Islamia (A Central University), New Delhi, India)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 402  ページ： 161-167  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,プラズマ増強化学蒸着システムにより非常に大面積で銅(Cu)被覆したシリコン(Si)基板上に合成することに成功した高品質グラフェン。法は600°Cの低い温度で相対的にグラフェンを合成するための低コストで非常に効果的である電子顕微鏡像は,成長させた試料の表面形態は,単層グラフェン(SLG)数層グラフェン(FLG)からなる非常に均一であることを示した。Ramanスペクトルは,グラフェンが無視できる欠陥を有する高品質成長させて,GとGのピークの観測はレーザ励起によるStokesフォノンエネルギーシフトの指標でもあることを明らかにした。走査型プローブ顕微鏡像も単一数層グラフェンの合成を示した。成長させたままのグラフェン試料の電界放出特性を室温で平面ダイオード構成で研究した。グラフェン試料は,低ターンオン電界,高磁場増幅因子と長期放出電流安定性を持つ優れた電界エミッタであることが観察された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *グラフェン ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  *電界放出 ,  *プラズマCVD ,  レーザ励起 ,  強磁場
準シソーラス用語： 電界エミッタ ,  放出電流 ,  ターンオン電界 ,  単層グラフェン ,  表面形態 ,  高品質 ,  大面積 ,  *低温合成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェン ,  化学蒸着 ,  電界放出 ,  走査型プローブ顕微鏡法 ,  放出電流

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： PECVD ,  成長 ,  少数層グラフェン ,  低温合成 ,  電界放出