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J-GLOBAL ID：201702244716567620   整理番号：17A0118411

MIRにおける大量応用,NIRにおけるD FBレーザダイオードを用いた,ICLのための費用効果的な可変同調形レーザガスセンサモジュール【Powered by NICT】

Cost-effective tunable laser gas-sensor module for high-volume applications, using DFB laser diodes in the NIR, and ICL in the MIR

著者 (14件)： Hildebrandt L. (nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH, Gerbrunn, Germany) ,  Weih R. (nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH, Gerbrunn, Germany) ,  Legge M. (nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH, Gerbrunn, Germany) ,  Koslowski N. (nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH, Gerbrunn, Germany) ,  Fischer M. (nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH, Gerbrunn, Germany) ,  von Edlinger M. (nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH, Gerbrunn, Germany) ,  Scheuermann J. (nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH, Gerbrunn, Germany) ,  Becker S. (nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH, Gerbrunn, Germany) ,  Rosner K. (nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH, Gerbrunn, Germany) ,  Zeller W. (nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH, Gerbrunn, Germany) ,  Nahle L. (nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH, Gerbrunn, Germany) ,  Koeth J. (nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH, Gerbrunn, Germany) ,  Kamp M. (Technische Physik, Physikalisches Institut and Wilhelm, Conrad Roentgen Research Center for Complex, Material Systems, Universitaet Wuerzburg, Wuerzburg, Germany) ,  Hofling S. (Technische Physik, Physikalisches Institut and Wilhelm, Conrad Roentgen Research Center for Complex, Material Systems, Universitaet Wuerzburg, Wuerzburg, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SENSORS  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本講演では開発と高精度ガスセンシングへの応用のための3000nmと6000nmの間の中赤外(MIR)波長領域における種々の760nmと3000nmの間の近赤外(NIR)領域で同調可能なレーザダイオード(LD),およびバンド間カスケードレーザ(ICL)ベース源のデバイス性能への洞察を与える。横方向金属格子構造に基づく分布帰還(DFB)型ICLとLDデバイスは過成長自由処理法を用いて作製した。現在,これらのデバイスは760nmから5200nmまでの全スペクトル領域で実現した。最大20nmの全同調範囲は,これらのDFBデバイス典型的に低い動作電流と電圧に基づく低消費電力の光出力パワーの数mWを提供することによりカバーできる。全ての作製したNIR及びMIR源は工業プロセス制御または環境モニタリングのような分野での高性能センサ応用を目標としている。本可変同調形レーザ吸収分光法(TLAS)を用いた種々の応用例をトークが注目されるであろう。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： プロセス制御 ,  量子カスケードレーザ ,  環境モニタリング ,  *可変波長レーザ ,  *センサ ,  近赤外線 ,  フィードバック ,  *同調 ,  *半導体レーザ
準シソーラス用語： 光出力 ,  同調範囲 ,  金属格子 ,  波長領域 ,  高精度 ,  *費用対効果 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： MIR ,  応用 ,  レーザダイオード ,  ICl ,  費用効果 ,  可変同調形レーザ ,  ガスセンサ ,  モジュール