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J-GLOBAL ID:201702244854596383   整理番号:17A0133186

光音響・発光同時計測及び時間分解発光計測による窒化物半導体の内部量子効率と輻射・非輻射再結合寿命の測定

Determination of internal quantum efficiency and recombination lifetime by simultaneous photo-acoustic and photoluminescence measurements in GaN
著者 (3件):
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巻: 116  号: 372(LQE2016 96-104)  ページ: 15-20  発行年: 2016年12月09日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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窒化物半導体の内部量子効率は,発光(PL)強度の温度依存性から,極低温における内部量子効率を100%と仮定して,求められることが多い。しかし,欠陥の多い窒化物半導体で,この仮定は必ずしも正しいとは限らない。本研究では,異なる品質のGaNについて,光音響・発光同時計測法によって,正しい内部量子効率を測定した。その結果,質の悪いGaN試料では,従来の方法で正しい内部量子効率が求められないことが明らかとなった。さらに,その結果と時間分解PL測定の結果の両者を用いた解析を行い,従来の方法よりも正確に輻射・非輻射再結合寿命を見積もった。その結果,輻射再結合寿命は温度の1.5乗に比例して増加するのに対し,非輻射再結合寿命はほぼ変化せず,その絶対値は測定試料の品質に依存することがわかった。(著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体のルミネセンス 

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