文献

J-GLOBAL ID：201702245024480826   整理番号：17A0319150

Na_1/2Y_1/2Cu_3Ti_4O_12セラミックスの巨大誘電特性と電気的反応に及ぼすMg~2+ドーピングイオンの影響【Powered by NICT】

Effects of Mg²⁺ doping ions on giant dielectric properties and electrical responses of Na_1/2Y_1/2Cu₃Ti₄O₁₂ ceramics

著者 (7件)： Jumpatam Jutapol (Materials Science and Nanotechnology Program, Faculty of Science, Khon Kaen University, Khon Kaen, 40002 Thailand) ,  Mooltang Areeya (Integrated Nanotechnology Research Center (INRC), Department of Physics, Faculty of Science, Khon Kaen University, Khon Kaen, 40002 Thailand) ,  Putasaeng Bundit (National Metal and Materials Technology Center, National Science and Technology Development Agency, Thailand Science Park, Pathumthani, 12120 Thailand) ,  Kidkhunthod Pinit (Synchrotron Light Research Institute (Public Organization), 111 University Avenue, Muang District, Nakhon Ratchasima, 30000 Thailand) ,  Chanlek Narong (Synchrotron Light Research Institute (Public Organization), 111 University Avenue, Muang District, Nakhon Ratchasima, 30000 Thailand) ,  Thongbai Prasit (Integrated Nanotechnology Research Center (INRC), Department of Physics, Faculty of Science, Khon Kaen University, Khon Kaen, 40002 Thailand) ,  Maensiri Santi (Institute of Science, School of Physics, Suranaree University, of Technology, Nakhon Ratchasima, 30000 Thailand)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 14  ページ： 16287-16295  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常の固相反応法により調製したNa_1/2Y_1/2Cu_3Mg_Ti_4O_12(x=0 0.3)セラミックスの電気的性質と巨大誘電特性に及ぼすMg~2+ドーピングイオンの影響を系統的に調べた。Mg~2+濃度は0から0.3に増加するとMg~2+ドーピングイオンは微細構造中に均一に分散し,11.0~88.4μmの平均粒径の大きな増加を引き起こした。これは破壊電圧(3002から537vcm~ 2)と非線形係数(6.79から5.40まで)の減少をもたらし,Na_1/2Y_1/2Cu_3Ti_4O_12の非線形電流-電圧特性の制御における微細構造の重要性を示した。結晶粒と結晶粒界応答を,アドミタンスとインピーダンス分光法分析によってそれぞれキャラクタリゼーションした。X線近吸収端構造及びX線光電子分析はNa_1/2Y_1/2Cu_3Mg_Ti_4O_12セラミックス中のCu+,Cu~3+,Ti~3+イオンの存在を確認し,結晶粒内部に存在する伝導の複雑な機構を示した。Mg~2+の置換は結晶粒内伝導のわずかな減少,それは主にTi~3+濃度の減少に起因すると考えられるをもたらした。より良い温度安定性を有する還元損失正接(≒0.036)と増強された誘電率(≒2.02× 10~4)は,ドープしていない試料と比較してNa_1/2Y_1/2Cu_2 9Mg_0 1Ti_4O_12セラミックで達成された。誘電緩和挙動は,内部障壁層キャパシタ構造に基づくMaxwell-Wagner緩和モデルを用いて記述することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶粒 ,  *誘電性 ,  *ドーピング ,  キャラクタリゼーション ,  結晶粒界 ,  固相反応 ,  誘電緩和 ,  XANES ,  損失正接 ,  コンデンサ ,  電流電圧特性 ,  *セラミック ,  吸収端 ,  誘電率 ,  インピーダンス分光法

著者キーワード (6件)： 巨大誘電特性 ,  スペクトロスコピー ,  近吸収端構造X線吸収 ,  X線光電子分光法 ,  Maxwell-Wagner分極 ,  CCTO

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： セラミックス ,  誘電特性 ,  ドーピング ,  イオン